導(dǎo)電漿料作為電子元器件封裝、互連的重要材料被廣泛應(yīng)用,隨著無鉛化技術(shù)的發(fā)展以及芯片大功率、高集成度的需求,對導(dǎo)電漿料提出了更高的需求,本課題旨在開發(fā)用于陶瓷基板金屬化的高導(dǎo)電、低溫?zé)Y(jié)漿料,來滿足高頻、大功率器件以及特殊封裝的需求。本課題研究分兩部分進行:第一部分是低溫?zé)o鉛玻璃料的開發(fā),測試其成玻區(qū)間及熱性能,并通過紅外、拉曼分析網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)來解釋相應(yīng)性能變化規(guī)律。得出結(jié)論,玻璃料Tg、FWHM都是隨Bi₂O₃含量增加而減小,原因是隨著Bi-O網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)整體增加,Bi-O鍵相對于B-O鍵鍵能小,斷鍵需要能量更低,軟化點低,結(jié)構(gòu)越容易斷鍵重排、析晶,硼氧單元增多將會增加玻璃化轉(zhuǎn)變溫度提高熱穩(wěn)定性,且B₂O₃含量增加時紅外吸收帶寬將變寬,最終制備出了30Bi₂O₃-55B₂O₃-15ZnO組分的玻璃料的Tg=360℃,ΔT=187℃,此種玻璃料430℃以上可對陶瓷基板有個良好的潤濕。第二部分是低溫銀導(dǎo)電漿料的開發(fā),從玻璃料... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

厚膜漿料基本結(jié)構(gòu)

圖 1-2 燒結(jié)溫度 400-550℃ 下厚膜方阻[27]k 等人[28]將一定量 20-50 nm 的銀粉添加到平均尺寸為 1.6 μm 相混合制得導(dǎo)電漿料（N20G3/N10G3/N10G6）在 400-550 ℃入納米粒子反而會產(chǎn)生孔洞，在相同燒結(jié)溫度下 N20G3 漿料重，N10G3 比 N20G3 燒成后銀膜表面更光滑，且 N10G3 與 增加玻璃料含量能減小厚膜的電阻率，如圖 1-3 所示。

圖 1-2 燒結(jié)溫度 400-550℃ 下厚膜方阻[27]人[28]將一定量 20-50 nm 的銀粉添加到平均尺寸為 1.6 μm 混合制得導(dǎo)電漿料（N20G3/N10G3/N10G6）在 400-550 ℃納米粒子反而會產(chǎn)生孔洞，在相同燒結(jié)溫度下 N20G3 漿料，N10G3 比 N20G3 燒成后銀膜表面更光滑，且 N10G3 與 N加玻璃料含量能減小厚膜的電阻率，如圖 1-3 所示。

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3131708