介紹了一種基于天線(xiàn)優(yōu)化的GaN/AlGaN高電子遷移率晶體管（HEMT）的高靈敏度室溫太赫茲探測(cè)器。在太赫茲波輻射下,太赫茲天線(xiàn)可以高效收集太赫茲波的能量進(jìn)而提高探測(cè)器的性能指標(biāo)。利用有限時(shí)域差分（FDTD）法對(duì)太赫茲天線(xiàn)的特征尺寸（源、漏極天線(xiàn)之間的間距Lw以及柵極天線(xiàn)的柵長(zhǎng)Lg）進(jìn)行了優(yōu)化研究。研究結(jié)果表明當(dāng)Lg一定時(shí),探測(cè)器的響應(yīng)度隨著Lw的減小而增大,并從實(shí)驗(yàn)上制備出了響應(yīng)度為9.45×102 V/W的室溫GaN/AlGaN HEMT太赫茲探測(cè)器。對(duì)優(yōu)化后的器件進(jìn)行了1×9線(xiàn)陣列探測(cè)器的制備和測(cè)試,探測(cè)器的電學(xué)特性一致性較好,響應(yīng)度僅有約10%的誤差。 

【文章來(lái)源】：微納電子技術(shù). 2017,54(10)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 場(chǎng)效應(yīng)自混頻探測(cè)原理及仿真計(jì)算
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和討論
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]HEMT太赫茲探測(cè)器響應(yīng)度和NEP的檢測(cè)與分析[J]. 楊昕昕,孫建東,秦華.  微納電子技術(shù). 2013(02)
[2]蝶形天線(xiàn)增強(qiáng)的HEMT室溫太赫茲探測(cè)器[J]. 孫建東,孫云飛,周宇,張志鵬,林文魁,曾春紅,吳東岷,張寶順,秦華.  微納電子技術(shù). 2011(04)



本文編號(hào)：3129973