基于電荷控制模型的通用憶阻器仿真器
發(fā)布時間:2021-04-09 21:36
針對憶阻器尚未商業(yè)化的現(xiàn)狀,為了給憶阻器的相關(guān)研究提供一種可替代的仿真器,在HP模型的基礎(chǔ)上推導(dǎo)出一種簡單通用的電荷控制模型,設(shè)計并實現(xiàn)了一款基于模擬器件的荷控仿真器。利用軟件PSPICE對仿真器的伏安特性進行了仿真分析和優(yōu)化,同時采用印刷線路板技術(shù)加工制作了仿真器實物電路。仿真和測試結(jié)果表明,在正弦信號激勵下憶阻器仿真器展現(xiàn)出典型的非線性磁滯回線特性,且該荷控憶阻器仿真電路結(jié)構(gòu)簡單,易于加工,在實際電路的應(yīng)用方面具有一定的參考價值。
【文章來源】:電子元件與材料. 2020,39(08)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
第二代電流傳輸器電路(CCII+)
簡單的荷控憶阻器仿真器的原理圖
為驗證本文中圖2所示的憶阻器仿真電路的可行性,在憶阻器的輸入端口輸入峰值為2 V,頻率為500 Hz的正弦信號,其輸入電壓與通過仿真器的輸入電流的波形如圖3所示。從圖3可以看出該憶阻器的電導(dǎo)(即dI/dV)在不同的區(qū)域呈現(xiàn)不同的值,因此憶阻器的阻值是可變的。輸入電壓與電流的變化不一致,從而使得憶阻器的阻值能夠發(fā)生變化。圖4為憶阻器仿真器在500 Hz輸入信號下的電壓電流特性曲線。從圖4可以看出,憶阻器的阻值隨電流不同而不同,一般同一個電流值對應(yīng)二個電壓值,從而使得憶阻器的阻值在某特定的阻值范圍內(nèi)變化。圖4 憶阻器電路在500 Hz輸入信號下的電壓電流特性曲線
本文編號:3128356
【文章來源】:電子元件與材料. 2020,39(08)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
第二代電流傳輸器電路(CCII+)
簡單的荷控憶阻器仿真器的原理圖
為驗證本文中圖2所示的憶阻器仿真電路的可行性,在憶阻器的輸入端口輸入峰值為2 V,頻率為500 Hz的正弦信號,其輸入電壓與通過仿真器的輸入電流的波形如圖3所示。從圖3可以看出該憶阻器的電導(dǎo)(即dI/dV)在不同的區(qū)域呈現(xiàn)不同的值,因此憶阻器的阻值是可變的。輸入電壓與電流的變化不一致,從而使得憶阻器的阻值能夠發(fā)生變化。圖4為憶阻器仿真器在500 Hz輸入信號下的電壓電流特性曲線。從圖4可以看出,憶阻器的阻值隨電流不同而不同,一般同一個電流值對應(yīng)二個電壓值,從而使得憶阻器的阻值在某特定的阻值范圍內(nèi)變化。圖4 憶阻器電路在500 Hz輸入信號下的電壓電流特性曲線
本文編號:3128356
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