采用有機(jī)化學(xué)合成法,利用正三辛基膦（TOP）輔助的快速注入生長(zhǎng)方法,改進(jìn)傳統(tǒng)的制備工藝,實(shí)現(xiàn)了CdSe/CdS厚殼層核殼（8.6 ML）量子點(diǎn)復(fù)合材料的合成制備,并對(duì)所合成的核、核殼量子點(diǎn)及其復(fù)合材料的晶格結(jié)構(gòu)、形貌特點(diǎn)與發(fā)光性質(zhì)進(jìn)行了XRD、TEM、SEM、UV-Vis、PL表征和紅光補(bǔ)償效果測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明,CdSe核具有立方纖鋅礦晶格結(jié)構(gòu);CdSe/CdS量子點(diǎn)復(fù)合材料直徑為45⁷5μm,呈菱形規(guī)則形貌,且顆粒分散性良好。采用該方法,可以提高量子產(chǎn)率,產(chǎn)率由4%（CdSe核）升至48%（CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)）;可以增強(qiáng)激子態(tài)發(fā)光能力,CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)復(fù)合材料的熒光強(qiáng)度約為CdSe核的13倍。將該材料與YAG∶Ce³⁺黃色熒光粉組合應(yīng)用,獲得了高光效（148.29 lm/W）、高顯色指數(shù)（Ra為90.1,R9為97.0）的白光發(fā)光二級(jí)管,表明按照上述方法獲得的CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)復(fù)合材料在白光發(fā)光二極管中深紅光波段具有較好的補(bǔ)償效果。 

【文章來(lái)源】：發(fā)光學(xué)報(bào). 2017,38(08)北大核心EICSCD

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【部分圖文】：

CdSe/CdS-WLED封裝固化效果圖

殼型量子點(diǎn)復(fù)合材料的制備稱(chēng)量200mg硅膠顆粒、50mL正己烷溶液置于100mL三口燒瓶中，持續(xù)加熱攪拌至80℃，設(shè)定加熱反應(yīng)5h。然后注入200μL上述CdSe/CdS核殼型量子點(diǎn)溶液，加熱至溶液全部揮干。將CdSe/CdS核殼型量子點(diǎn)復(fù)合材料清洗離心后，干燥成粉末，待用［15］。2．2．4WLED封裝將實(shí)驗(yàn)合成的CdSe/CdS量子點(diǎn)粉末、熒光粉末與適量硅膠混合后，涂覆于藍(lán)光LED芯片上，然后固化，如圖1、圖2所示。測(cè)試WLED的發(fā)光參數(shù)。圖1CdSe/CdS-WLED封裝固化效果圖Fig．1PackagingandcuringeffectdiagramofCdSe/CdS-WLED圖2CdSe/CdS-WLED點(diǎn)亮效果圖Fig．2LightingeffectdiagramofCdSe/CdS-WLED3結(jié)果與討論3．1量子點(diǎn)的表征圖3為實(shí)驗(yàn)所得CdSe核及CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)的XＲD圖。CdSe核、CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)的XＲD衍射峰均發(fā)生寬化現(xiàn)象［16］，所合成的CdSe核最強(qiáng)的3個(gè)衍射峰分別位于23．375°、26．352°、41．233°，與JCPDSNo．02-0330卡片比照，分別與CdSe立方纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的23．771°、26．914°、41．784°衍射峰相對(duì)應(yīng)，表明所獲得的CdSe量子點(diǎn)為立方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)3個(gè)衍射峰分別位于24．592°、26．312°、28．034°，與JCPDS卡片No．77-2306比照，與CdS的24．837°、26．535°、28．216°衍射峰相對(duì)應(yīng)，表明隨著殼層的包覆，CdSe/CdS量子點(diǎn)生長(zhǎng)為具有CdS晶格結(jié)構(gòu)的晶體［17］。圖3CdSe核與CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)的XＲD圖Fig．3XＲDpatternsofCdSecoreandCdSe/CdScore-shellquantum-dots圖4是合成的CdSe核、CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)的透射電鏡圖。由圖4可以看到，CdSe核量子點(diǎn)直徑約為5nm;CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)的直徑約為11nm，呈現(xiàn)近乎球形的形貌，晶格分布有序，分散性較好，說(shuō)明按照上述TOP輔助快?

子點(diǎn)的XＲD衍射峰均發(fā)生寬化現(xiàn)象［16］，所合成的CdSe核最強(qiáng)的3個(gè)衍射峰分別位于23．375°、26．352°、41．233°，與JCPDSNo．02-0330卡片比照，分別與CdSe立方纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的23．771°、26．914°、41．784°衍射峰相對(duì)應(yīng)，表明所獲得的CdSe量子點(diǎn)為立方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)3個(gè)衍射峰分別位于24．592°、26．312°、28．034°，與JCPDS卡片No．77-2306比照，與CdS的24．837°、26．535°、28．216°衍射峰相對(duì)應(yīng)，表明隨著殼層的包覆，CdSe/CdS量子點(diǎn)生長(zhǎng)為具有CdS晶格結(jié)構(gòu)的晶體［17］。圖3CdSe核與CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)的XＲD圖Fig．3XＲDpatternsofCdSecoreandCdSe/CdScore-shellquantum-dots圖4是合成的CdSe核、CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)的透射電鏡圖。由圖4可以看到，CdSe核量子點(diǎn)直徑約為5nm;CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)的直徑約為11nm，呈現(xiàn)近乎球形的形貌，晶格分布有序，分散性較好，說(shuō)明按照上述TOP輔助快速注入方法對(duì)CdSe進(jìn)行無(wú)機(jī)修飾與包覆后，量子點(diǎn)的結(jié)晶度和分散性得到了提高。圖5是CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)復(fù)合材料的掃描電鏡圖。量子點(diǎn)復(fù)合材料直徑為45～75μm，呈現(xiàn)菱形規(guī)則形貌，且具有良好的顆粒分散性。單層CdS厚度經(jīng)驗(yàn)值為0．35nm［18］。由圖4透射電鏡測(cè)量結(jié)果可得，CdSe核量子點(diǎn)半徑約為2．5nm，CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)半徑約為5．5nm。定義層數(shù)為:

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3123690