隨著半導體制備技術的革新,半導體光電器件進入了一個量子化時代。以量子線、量子環(huán)、量子阱和量子點的低維半導體材料研制的光電子器件相繼面世。與傳統(tǒng)的體材料相比,低維系統(tǒng)對載流子（例如電子,空穴,激子等）的束縛能增強,量子系統(tǒng)中所特有的隧穿效應、局限效應等更加明顯,低維半導體材料的物理和化學性質,都發(fā)生顯著的變化,利用這些人工可控的物理和化學性質,能設計出具有優(yōu)異光電性能的半導體器件。因此,有必要對低維半導體材料的物理性質和光學性質以及影響這些性質的因素有一個深入的了解。在無損樣品的情況下,人們通過拉曼散射光譜對待測材料的結構和物理性質進行高精度、快捷的測量。本文主要在有效質量近似的框架下,對量子點中激子作為中間態(tài)的拉曼散射進行理論研究。通過求解不同量子點系統(tǒng)中的定態(tài)薛定諤方程,得到系統(tǒng)勢函數(shù)以及本征能量,理論推導出相應的拉曼散射微分散射截面,通過數(shù)值計算,分析量子點尺寸、拋物勢頻率、分子摩爾分數(shù)的改變對低維半導體中拉曼散射譜線的影響。第一章,引言。簡述了本文的研究背景以及意義。介紹了低維半導體的發(fā)展,氮化物異質結構的特點,低維半導體中激子作為中間態(tài)的拉曼散射過程。第二章,研究了拋物勢ln<... 

【文章來源】：廣州大學廣東省

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

電子通過與光子相互作用，吸收一個光子，產(chǎn)生一個電子-空穴對的費曼圖

電子-空穴復合，發(fā)射一個光子的費曼圖

藍光和紫外光的光電器件的在應用方面的研發(fā)中取N/GaN 為代表的 III-V 族低維半導體材料所制成條件下，以高功率工作。這種氮化物異質結，由于壓電介電系數(shù)的差異，材料內部會存在強度達 M對載流子波函數(shù)、本征能量等能帶結構具有重要的統(tǒng)中，為了研究內建電場對 lnxGa1 xN/GaN 材料究在拋物勢 lnxGa1 xN/GaN 柱形量子點中，電子型物勢 lnyGa1 yN/GaN 柱形量子點的模型，徑向分aN ( y < ) 包圍中心的所組成，z 方向的分量由


本文編號：3122477