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金屬氧化物薄膜晶體管的穩(wěn)定性研究

發(fā)布時(shí)間:2021-04-05 01:42
  在信息時(shí)代的今天,信息的傳遞至關(guān)重要,據(jù)統(tǒng)計(jì),在人的感覺器官獲取的各種信息的總量中,視覺所占有的比例在百分之八十以上。因此,顯示技術(shù)作為視覺與各種信息的橋梁,受到人們極大的關(guān)注與重視,F(xiàn)今市場上的主流顯示器仍為液晶顯示(LCD),不過有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)由于其優(yōu)異的顯示質(zhì)量,有望成為新一代的主流顯示技術(shù)。但是無論是LCD還是OLED,所采用的驅(qū)動(dòng)技術(shù)都是有源矩陣的形式,而這就離不開一個(gè)關(guān)鍵的元件——薄膜晶體管(TFT)。在眾多TFT的半導(dǎo)體中,金屬氧化物(MO)半導(dǎo)體因?yàn)橹T多優(yōu)異的性能,如遷移率高、成本低、工藝溫度低等,引起了廣泛的關(guān)注。目前,MO-TFT已經(jīng)應(yīng)用于大尺寸LCD電視產(chǎn)品上,但在中小尺寸超高清顯示產(chǎn)品的應(yīng)用還需要解決在有光或者熱這種實(shí)際環(huán)境中的偏壓穩(wěn)定性問題;诖,我們在原有的研究的基礎(chǔ)上,在ScInO半導(dǎo)體中摻雜一種元素,形成四元體系的半導(dǎo)體,以期提高器件的偏壓熱穩(wěn)定性。首先選擇的材料是Mg,以MgScInO作為有源層,制備出的TFT器件遷移率雖然不高(4.7 cm2 V-11 s-1),但是負(fù)柵偏... 

【文章來源】:華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:73 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

金屬氧化物薄膜晶體管的穩(wěn)定性研究


TFT的重要?dú)v史發(fā)展節(jié)點(diǎn)[4]

基本結(jié)構(gòu),非晶硅,有源層,材料制備


圖 1-2 2T1C 電路的基本結(jié)構(gòu)[5]Fig. 1-2 Basic structure of 2T1C circuit[5]硅 TFT以非晶硅作為有源層的一種 TFT。非晶硅材料,具有氫化的情況下,內(nèi)部的缺陷態(tài)密度較大,Lecom陷態(tài)密度,提升非晶硅 TFT 的器件性能,在材料中以其作為有源層材料制備出了 a-Si:H TFT 器件。a不存在晶界,因而電學(xué)的均勻性較好,而且它具有],通常在 0.1~1 cm2V-1s-1,但對于 AMLCD 這類電其驅(qū)動(dòng)需求。不過,遷移率的不足,a-Si:H TFT 想 AMOLED 上,卻顯得乏力。而且 a-Si:H TFT 還存

聲電


圖 1-3 LGD 自發(fā)聲電視[50]Fig. 1-3 LGD Crystal Sound OLED[50]面,2018 年年底,由香港永寧控股有限公司總投資 8項(xiàng)目簽約儀式在浙江省寧波市鄞州區(qū)舉行,標(biāo)志著我 E-Paper 產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線正式落地[51]。面,三星、華為等相繼發(fā)布了可折疊的柔性手機(jī),如圖

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]氧化物薄膜晶體管研究進(jìn)展[J]. 蘭林鋒,張鵬,彭俊彪.  物理學(xué)報(bào). 2016(12)
[2]金屬氧化物薄膜晶體管及其在新型顯示中的應(yīng)用[J]. 曹鏞,陶洪,鄒建華,徐苗,蘭林鋒,王磊,彭俊彪.  華南理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2012(10)

博士論文
[1]薄膜晶體管及其在有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管中的應(yīng)用[D]. 蘭林鋒.華南理工大學(xué) 2010



本文編號(hào):3118889

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