介紹了一種通過因果圖及DOE（試驗設(shè)計）對ESD及LU測試中出現(xiàn)的復雜失效問題進行快速分析定位的方法。該方法通過因果圖的制定,全面建立可能造成失效的各個層級的影響因子;通過兩個層次DOE設(shè)計,以最少的測試次數(shù)篩選出最關(guān)鍵的影響因子。最終發(fā)現(xiàn)I-V曲線測量時電壓設(shè)定過大以及I-V曲線測量達到一定次數(shù)是觸發(fā)本次失效問題產(chǎn)生的根本原因。該分析方法可以作為ESD及LU測試中失效分析的有力補充。 

【文章來源】：固體電子學研究與進展. 2020,40(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

全因子因果圖

重要因子因果圖

I-V曲線拐點設(shè)置法

【參考文獻】：
期刊論文
[1]改進IAHP-CIM模型的雷達組網(wǎng)探測能力評估方法[J]. 崔玉娟,察豪.  國防科技大學學報. 2017(03)
[2]0.13μm IC產(chǎn)品MM模式ESD失效機理[J]. 吳峰霞,申俊亮,蔡斌.  半導體技術(shù). 2013(10)
[3]基于DOE優(yōu)化設(shè)計拋光工藝參數(shù)[J]. 盧海參,何良恩,劉建剛.  半導體技術(shù). 2008(05)
[4]D優(yōu)化的實驗設(shè)計在IC工藝和器件優(yōu)化中的應用[J]. 甘學溫,Ａ．Ｊ．Ｗａｌｔｏｎ.  微電子學. 1996(05)

博士論文
[1]先進工藝下集成電路的靜電放電防護設(shè)計及其可靠性研究[D]. 馬飛.浙江大學 2014

碩士論文
[1]軍用集成電路的可靠性與檢測篩選[D]. 張國瑞.南京理工大學 2014



本文編號：3111371