近幾年來,量子點(diǎn)發(fā)光二極管（Quantum Dot Light-Emitting Diodes,QD-LEDs）作為發(fā)光器件得到了廣泛的應(yīng)用。本論文分別以氧化鋅（ZnO）納米顆粒作為電子傳輸層材料,核/殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)（Quantum Dot,QD）作為發(fā)光層材料進(jìn)行研究:（1）以ZnO納米顆粒作為電子傳輸層材料來進(jìn)行研究:目前相關(guān)研究的大量數(shù)據(jù)表明,ZnO納米顆粒是制備QD-LEDs電子傳輸層材料的最佳選擇之一,因此對于提升QD-LEDs的性能來說,制備出分散性良好和粒徑可控的ZnO納米顆粒是十分必要的。本論文采用配體輔助的方法:用乙醇胺作為包覆劑來制備ZnO納米顆粒,這種方法不僅可以簡便地制備出分散性良好,尺寸分布均勻且尺寸可控的ZnO納米顆粒,而且實(shí)驗(yàn)方法具有較高的重現(xiàn)性。由于乙醇胺的加入可以有效地控制ZnO納米顆粒的成核及生長過程,因此乙醇胺在制備單分散ZnO納米顆粒的實(shí)驗(yàn)過程中起著重要的作用。而且實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:與傳統(tǒng)無配體包覆的方法相比,加入乙醇胺的方法不僅能夠有效地控制ZnO納米顆粒的生長尺寸,而且用配體輔助方法制備的ZnO納米顆粒具有良好的分散性和尺寸分布,另一方面,與傳統(tǒng)... 

【文章來源】：長春工業(yè)大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】：40 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

倒置結(jié)構(gòu)QD-LEDs的結(jié)構(gòu)示意圖

圖 2.1 三種 ZnO 納米顆粒對應(yīng)的 XRD 圖譜. 為有配體輔助的方法制備的 ZnO-A，ZnO-B 和無配體參與的方RD 圖譜。上圖表明，三種 ZnO 納米顆粒的 XRD 圖譜均由 7 個(gè)準(zhǔn)XRD圖譜，三種ZnO納米顆粒的結(jié)構(gòu)可被標(biāo)為標(biāo)準(zhǔn)纖鋅礦結(jié)構(gòu)）。種 ZnO 納米顆粒的熒光發(fā)射光譜

圖 2.1 三種 ZnO 納米顆粒對應(yīng)的 XRD 圖譜.有配體輔助的方法制備的 ZnO-A，ZnO-B 和無配體參與D 圖譜。上圖表明，三種 ZnO 納米顆粒的 XRD 圖譜均由XRD圖譜，三種ZnO納米顆粒的結(jié)構(gòu)可被標(biāo)為標(biāo)準(zhǔn)纖鋅礦 ZnO 納米顆粒的熒光發(fā)射光譜

【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]高質(zhì)量藍(lán)綠色發(fā)光合金核殼納米晶的制備及其LED應(yīng)用[D]. 王勝.河南大學(xué) 2013
[2]量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備與穩(wěn)定性研究[D]. 陶景.河南大學(xué) 2013



本文編號：3102260