由于超結(jié)器件在緩解器件擊穿電壓V_B與比導(dǎo)通電阻R_on.sp矛盾方面具有突出的優(yōu)勢(shì),因此被大量的研究與實(shí)驗(yàn)。由于超結(jié)器件滿足R_on·sp∝V_B^1.32關(guān)系打破了傳統(tǒng)縱向器件R_on·sp∝V_B^2.5“硅極限”關(guān)系,被國際譽(yù)為功率器件發(fā)展的“里程碑”。這將器件比導(dǎo)通電阻與耐壓的平方關(guān)系降低為近線性關(guān)系,為緩和矛盾關(guān)系做出了巨大的貢獻(xiàn)。隨著對(duì)超結(jié)器件的不斷研究,依最新文獻(xiàn)表明工作在非全耗盡（Non-full depletion,NFD）模式下的超結(jié)器件擁有更低的比導(dǎo)通電阻,并且在此模式下能尋找到超結(jié)器件的最低比導(dǎo)通電阻R_on·min,但到目前為止還只停留在理論階段,未存在有關(guān)驗(yàn)證此關(guān)系的實(shí)驗(yàn)研究,本論文利用等效襯底（Equivalent Substrate）模型作為理論與設(shè)計(jì)指導(dǎo)來消除橫向超結(jié)器件中的SAD（Substrate Assisted Depletion）效應(yīng),并且在實(shí)驗(yàn)上得到了超結(jié)器件的... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 超結(jié)功率器件的歷史發(fā)展簡(jiǎn)介
    1.2 橫向超結(jié)器件
    1.3 形成超結(jié)的典型工藝
    1.4 本文結(jié)構(gòu)及內(nèi)容安排
第二章 橫向超結(jié)器件優(yōu)化所依據(jù)的基本理論
    2.1 超結(jié)器件中的電荷場(chǎng)對(duì)電勢(shì)場(chǎng)調(diào)制
    2.2 理想襯底實(shí)現(xiàn)的理論基礎(chǔ)
        2.2.1 等效襯底模型
        2.2.2 橫向超結(jié)器件的理想襯底條件
    2.3 有場(chǎng)板的理想襯底解析模型
    2.4 橫向超結(jié)器件的全耗盡模式與非全耗盡模式
    2.5 本章小結(jié)
第三章 橫向超結(jié)器件仿真設(shè)計(jì)
    3.1 理想襯底超結(jié)最高優(yōu)值討論
        3.1.1 超結(jié)器件給定條寬和長(zhǎng)度下優(yōu)值變化規(guī)律
        3.1.2 橫向超結(jié)器件最高優(yōu)值設(shè)計(jì)公式
    3.2 最高優(yōu)值的仿真分析
        3.2.1 橫向超結(jié)器件最高優(yōu)值仿真分析
        3.2.2 縱向超結(jié)器件最高優(yōu)值仿真分析
    3.3 超結(jié)器件漂移區(qū)凈電阻提出新方法
    3.4 本章小結(jié)
第四章 橫向超結(jié)器件低比導(dǎo)通電阻實(shí)驗(yàn)
    4.1 SOI基橫向超結(jié)非全耗盡型器件工藝與版圖設(shè)計(jì)
    4.2 SOI基橫向超結(jié)非全耗盡型器件實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析
    4.3 體硅超結(jié)器件的設(shè)計(jì)
    4.4 本章小結(jié)
第五章 全文工作總結(jié)及展望
    5.1 本文工作總結(jié)
    5.2 工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Concept and design of super junction devices[J]. Bo Zhang,Wentong Zhang,Ming Qiao,Zhenya Zhan,Zhaoji Li.  Journal of Semiconductors. 2018(02)

博士論文
[1]超結(jié)功率器件等效襯底模型與非全耗盡工作模式研究[D]. 章文通.電子科技大學(xué) 2016



本文編號(hào)：3100329