以41°Y-X切型鈮酸鋰作為基底材料,選擇雙T型阻抗元結(jié)構(gòu),采用晶圓級(jí)封裝（WLP）技術(shù),制作了一款相對(duì)帶寬5.8%,最小插入損耗為-2.8 dB,體積為1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封裝聲表面波濾波器。并研制了專用探卡,對(duì)封裝后晶圓完成在線測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明,探卡測(cè)試結(jié)果與裝配到實(shí)際電路的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,兩者吻合較好,解決了WLP封裝聲表面波濾波器測(cè)試難題。 

【文章來源】：壓電與聲光. 2020,42(04)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

圖1 雙T型阻抗元結(jié)構(gòu)

表2 諧振器部分參數(shù) 諧振器 換能器對(duì)數(shù)/對(duì) 周期/μm 孔徑/μm IE1 90 2.038 50 IE2 90 2.012 30 IE3 90 2.232 1402 WLP封裝工藝

WLP封裝將芯片進(jìn)行鈍化處理,在其表面覆蓋聚酰亞胺(PI)或Si固體介質(zhì)材料,以實(shí)現(xiàn)器件的封裝。采用重布線技術(shù)將I/O接口以陣列方式分布在介質(zhì)材料上,并進(jìn)行凸點(diǎn)制作,完成器件接口制作。本文封裝覆膜材料為Si,能提升WLP器件在模塊化中模壓能力。與傳統(tǒng)封裝技術(shù)相比,封裝、測(cè)試在劃片工序前完成。WLP封裝的主要工藝流程,如圖3所示。凸點(diǎn)技術(shù)是WLP封裝的關(guān)鍵技術(shù),本文采用solder ball植球的方式實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)制作。與其他技術(shù)相比,其成本低,工藝穩(wěn)定及能實(shí)現(xiàn)小球制作[4]。圖4為產(chǎn)品實(shí)物圖。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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本文編號(hào)：3099580