提出了一種逆導(dǎo)型（RC）SOI-LIGBT。通過(guò)在LIGBT陽(yáng)極發(fā)射結(jié)反向并聯(lián)一個(gè)肖特基二極管,在沒(méi)有增大LIGBT正向?qū)▔航档那闆r下,消除了傳統(tǒng)陽(yáng)極短路RC-LIGBT在正向?qū)〞r(shí)的電壓折回效應(yīng)。通過(guò)二維仿真軟件對(duì)器件穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)的電學(xué)特性進(jìn)行了分析。仿真結(jié)果表明,與傳統(tǒng)的SOI-LIGBT、續(xù)流二極管相比,該RC-LIGBT具有更高的擊穿電壓,且擊穿電壓不受陽(yáng)極摻雜濃度的影響。該器件的反向恢復(fù)電荷減小了15.2%,軟度因子提高一倍以上。 

【文章來(lái)源】：微電子學(xué). 2020,50(03)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

本文RC-LIGBT的剖面和等效電路

本文LIGBT和傳統(tǒng)LIGBT的臨界擊穿電壓與P-anode摻雜濃度(NA)的關(guān)系曲線如圖2所示�？梢钥闯�,本文LIGBT的臨界擊穿電壓為368 V,其值不受NA變化的影響。原因是反偏的肖特基二極管漏電流較大,足夠用于傳導(dǎo)LIGBT體內(nèi)漂移區(qū)的漏電流。本文LIGBT臨界擊穿時(shí)體內(nèi)陽(yáng)極側(cè)的電流線分布如圖3所示。

本文LIGBT臨界擊穿時(shí)體內(nèi)陽(yáng)極側(cè)的電流線分布如圖3所示�？梢钥闯�,漏電流主要通過(guò)N-anode流入。P-anode/N-buffer結(jié)被肖特基二極管短路,幾乎沒(méi)有空穴電流通過(guò)P-anode流入漂移區(qū)。因此,傳統(tǒng)LIGBT體內(nèi)的電流放大效應(yīng)在本文結(jié)構(gòu)中被有效抑制。而圖2中,對(duì)于傳統(tǒng)LIGBT,隨著NA的增加,發(fā)射結(jié)注入效率變大,在開(kāi)基區(qū)PNP機(jī)制的影響下,擊穿電壓變低。


本文編號(hào)：3093733