發(fā)布時間：2021-03-18 00:27

　　伴隨著時代的發(fā)展,絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）作為新一代大功率開關(guān)器件,在眾多領(lǐng)域占據(jù)著重要位置。但是在風(fēng)力發(fā)電變流器、高鐵、新能源汽車等使用環(huán)境中,IGBT的故障率居高不下。因此,針對IGBT可靠性及其壽命方面的研究十分必要。本文主要采用功率循環(huán)實驗對IGBT可靠性方面進行研究,得到過應(yīng)力情況下IGBT相關(guān)電氣參數(shù)的變化情況,尋找能夠反映IGBT運行狀態(tài)的故障預(yù)測量,并進一步分析故障發(fā)生的機理,為建立壽命預(yù)測模型做好基礎(chǔ)。造成IGBT失效的原因眾多:過壓、過流、高溫等因素都會縮短器件的使用壽命。實際環(huán)境中,IGBT主要工作在周期性的開關(guān)條件下,本課題結(jié)合已有研究結(jié)論以及器件實際運行工況,設(shè)計一臺可以同時進行多路IGBT功率循環(huán)的實驗系統(tǒng),實現(xiàn)器件在不同功率下工作,并可以通過溫度控制策略實現(xiàn)周期性運行。本文主要完成以下幾點工作:首先,針對溫度控制,包括IGBT的殼溫與結(jié)溫。殼溫測量采用目前國際公認的高精度溫敏電阻PT100作為溫度傳感器,實現(xiàn)對IGBT殼溫的實時高精度測量。結(jié)溫部分采用電學(xué)參數(shù)法測量,通過多方對比,選... 

【文章來源】：北京工業(yè)大學(xué)北京市 211工程院校

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

變流器件中各部部件分失效所占比例21%電阻電感PCB板

北京工業(yè)大學(xué)工程碩士專業(yè)學(xué)位論文復(fù)合結(jié)構(gòu)組成；由 MOSFET 結(jié)構(gòu)實現(xiàn)對柵極的控制有通過電壓控制通斷的特性，相較傳統(tǒng)的電力電子ate-turn-off thyristor，GTO))具有更加靈活的開關(guān)特性反偏耐壓值和大通態(tài)電流的特點，擴大了器件的安全T 具有驅(qū)動電流小，反偏耐壓高，飽和壓降低等特

圖 2-3 IGBT 等效電路圖Fig.2-3 IGBT Equivalent Circuit Diagram率循環(huán)實驗羅姆航展中心首次提出加速老化試驗（Acc目的是在不改變被測器件失效機理的前提下效的相關(guān)統(tǒng)計模型進行實驗。實驗條件通常品的失效進程。加速老化試驗可以大大縮短驗效率。在進行加速老化實驗過程中，應(yīng)條件不應(yīng)改變故障產(chǎn)生的基本模式與機理命試驗的應(yīng)力水平，應(yīng)高于器件的實際工載荷同時，需要考慮是否可以同時施加各個量記錄；


本文編號：3087926