GeTe基半導(dǎo)體的非晶態(tài),α-GeTe相和β-GeTe相可以相互轉(zhuǎn)換,且在一定條件下穩(wěn)定存在。利用高濃度空穴摻雜改善GeTe熱電和鐵電性能,以及非晶相和晶相間的巨大差異和快速切換,使其在熱電、自旋器件、相變開關(guān)、相變存儲等多個領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用前景。此外,GeTe具有窄光學(xué)帶隙和高載流子遷移率,有望用于高性能紅外光電探測,然而其在紅外光電探測方面還處于初始階段。本綜述在詳述其性質(zhì)及在熱電、相變等領(lǐng)域應(yīng)用情況的基礎(chǔ)上,根據(jù)GeTe的光電性質(zhì),展望了其在紅外光電探測領(lǐng)域方面的應(yīng)用。 

【文章來源】：紅外技術(shù). 2020,42(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：11 頁

【部分圖文】：

GeTe的應(yīng)用：(a)熱電應(yīng)用示意圖；(b)相變開關(guān)示意圖；(c)相變存儲示意圖；(d)GeTe(111)的Te端鐵電極化示意圖；(e)光電應(yīng)用示意圖；(f)其他應(yīng)用Fig.2TheapplicationsofGeTe:(a)Theschematicsofthermoelectricmaterials;(b)Phasechangeswitch;(c)Phasechangememory;(d)FerroelectricpolarizationofGeTe(111)withtheTetermination;(e)Photoelectric;and(f)Others

GeTe在相變存儲領(lǐng)域的應(yīng)用：(a)不同升溫速率下GeTe薄膜的電阻曲線；(b)相變存儲單元在兩相轉(zhuǎn)變下的I-V曲線；(c)傳統(tǒng)平面相變存儲單元；(d)Reset模式下的TEM圖像；(e)GeTe和(f)GST相變存儲單元的耐久性Fig.5TheapplicationsofGeTeinphasechangememory:(a)ThecurveofGeTefilms’resistancemeasuredwithdifferentincreasingheatingrate;(b)TheI-VcurveofaPCMcellinthecrystallineandtheamorphou

GeTe薄膜的能帶結(jié)構(gòu)及光學(xué)帶隙：(a)GeTe的能帶結(jié)構(gòu)；(b)Te和Gep軌道的部分態(tài)密度圖；GeTe薄膜退火前后(c)歸一化UV-Vis-NIR吸收光譜和(d)2與hν的關(guān)系曲線


本文編號：3086279