以吡咯（Py）單體為前驅(qū)液,腺苷三磷酸（ATP）為摻雜劑,通過恒電流法在陣列芯片襯底上制備聚吡咯-腺苷三磷酸（PPy-ATP）膜。通過掃描電子顯微鏡（SEM）、能量色散譜（EDS）和傅里葉變換紅外光譜（FTIR）對PPy-ATP膜進行了形貌表征、元素分析和結(jié)構(gòu)分析,結(jié)果表明ATP成功摻雜到PPy膜中。利用PPy的摻雜-去摻雜特性,在室溫條件下研究了直流和交流電位對ATP的控制釋放,結(jié)果表明釋放5 h,直流電位的幅值越大,ATP的釋放速率越快,累積釋放率越大。對于交流電位,±0.8 V和±0.5 V作用下總的累積釋放率相近,前者的累積釋放率較后者快,±0.3 V條件下的累積釋放率和釋放速率都低于±0.5 V下的釋放結(jié)果�？傮w來說直流和交流電位作用下的累積釋放率明顯大于自釋放的結(jié)果。 

【文章來源】：微納電子技術(shù). 2020,57(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

電極陣列芯片圖

摻雜后與電釋放后PPy-ATP膜的SEM圖

PPy-ATP膜的FTIR譜圖

【參考文獻】：
期刊論文
[1]導(dǎo)電聚合物在藥物可控釋放領(lǐng)域的應(yīng)用[J]. 宿丹,第鳳,邢季,車劍飛,肖迎紅.  化學(xué)進展. 2014(12)

碩士論文
[1]溫敏型聚吡咯藥物自動釋放體系的制備與性能研究[D]. 戚汝財.廈門大學(xué) 2009
[2]智能型聚吡咯藥物芯片的制備與性能研究[D]. 田向東.廈門大學(xué) 2008



本文編號：3085736