基于石墨烯/半導(dǎo)體膜雜化物的光探測(cè)器由于其超高的性能而引起了國內(nèi)外的廣泛關(guān)注,性能優(yōu)越和重復(fù)性高這兩個(gè)特性對(duì)于現(xiàn)代科技中許多依賴一維納米結(jié)構(gòu)和薄膜結(jié)構(gòu)的光探測(cè)器來說至關(guān)重要。一維納米結(jié)構(gòu)的器件由于其對(duì)微觀環(huán)境過度敏感而造成了性能上的差異,而基于薄膜結(jié)構(gòu)的光探測(cè)器在性能穩(wěn)定上則具有更大的優(yōu)勢(shì)。本文針對(duì)石墨烯/半導(dǎo)體薄膜異質(zhì)結(jié)光探測(cè)器進(jìn)行了完整的制備、性能測(cè)試和功能調(diào)節(jié),以求制備出更出色的光探測(cè)器。論文的第一章介紹了半導(dǎo)體和半導(dǎo)體光探測(cè)器的相關(guān)知識(shí),闡述了本文的研究背景和研究內(nèi)容,提出了本文的選題意義和創(chuàng)新點(diǎn)。在第二章中,主要敘述了石墨烯/半導(dǎo)體薄膜異質(zhì)結(jié)光探測(cè)器的制備和工作原理,介紹了實(shí)驗(yàn)過程中用到的藥品和儀器,并對(duì)材料形貌和結(jié)構(gòu)的表征設(shè)備,進(jìn)行了詳細(xì)的闡述。在第三章實(shí)驗(yàn)部分中,通過將載流子遷移率極高的石墨烯與電子束鍍膜沉積的半導(dǎo)體薄膜復(fù)合制備出石墨烯/半導(dǎo)體薄膜異質(zhì)結(jié)光探測(cè)器,并進(jìn)行光響應(yīng)測(cè)試。結(jié)果顯示,本實(shí)驗(yàn)中制備的石墨烯/半導(dǎo)體薄膜異質(zhì)結(jié)光探測(cè)器不僅達(dá)到了1.7×107A/W的響應(yīng)度和50 ms左右的響應(yīng)速度,也展示了高度的重復(fù)性。通過這種方法制備的光探測(cè)器與傳統(tǒng)工藝兼容,在大范圍... 

【文章來源】：合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

絕緣體、半導(dǎo)體和導(dǎo)體的能帶示意圖（a）絕緣體（b）半導(dǎo)體（c）導(dǎo)體

半導(dǎo)體的本征吸收示意圖

p-n結(jié)能帶圖（a）無光照（b）光照


本文編號(hào)：3085192