一種高精度高靈敏度過溫保護(hù)電路設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2021-03-15 02:38
為避免芯片內(nèi)部因溫度過高而造成損壞,以及確保芯片的可靠性和穩(wěn)定性,基于0.18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種高精度高靈敏度過溫保護(hù)電路。該電路通過引入帶有溫度系數(shù)電壓的反饋技術(shù),產(chǎn)生帶有溫度信息的邏輯電平,實(shí)現(xiàn)對電路工作狀態(tài)的控制,并給出細(xì)致的推導(dǎo)過程;鶞(zhǔn)電路可在寬范圍的輸入電壓和溫度下正常工作,保證過溫保護(hù)電路有穩(wěn)定的工作狀態(tài)和穩(wěn)定的輸出。電路包含正反饋結(jié)構(gòu),加速溫度檢測信號輸出的翻轉(zhuǎn),提高靈敏度。仿真結(jié)果表明,當(dāng)溫度超過160℃時(shí),保護(hù)電路開啟,當(dāng)溫度降到150℃時(shí),保護(hù)電路關(guān)閉,且有10℃的溫度遲滯量。該電路能很好地抑制電源電壓變化造成的閾值點(diǎn)的漂移,有較高的精度,確保電路性能的穩(wěn)定。
【文章來源】:現(xiàn)代電子技術(shù). 2020,43(22)北大核心
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
過溫保護(hù)電路
電流隨溫度曲線
Vbias變化曲線
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]0.25 μm CMOS新型過溫保護(hù)電路的設(shè)計(jì)[J]. 葛興杰,陸鋒. 電子與封裝. 2018(06)
[2]基于遲滯比較器的過溫保護(hù)電路[J]. 李新,劉敏,張海寧. 中國集成電路. 2018(Z1)
[3]一種低功耗CMOS過溫保護(hù)電路的設(shè)計(jì)[J]. 李樹鎮(zhèn),馮全源. 應(yīng)用科技. 2017(01)
[4]CMOS帶隙基準(zhǔn)及過溫保護(hù)電路的研究[J]. 王文奇,汪瀅. 電子技術(shù)與軟件工程. 2015(24)
[5]基于電流比較的過溫保護(hù)電路設(shè)計(jì)[J]. 陳昊,龐英俊. 半導(dǎo)體技術(shù). 2015(02)
[6]新型低功耗過溫保護(hù)電路設(shè)計(jì)[J]. 茍靜,馮全源. 儀表技術(shù)與傳感器. 2014(07)
[7]一種嵌入式動(dòng)態(tài)鎖存比較器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J]. 謝晶,張文杰,謝亮,金湘亮. 微電子學(xué). 2013(06)
[8]0.13μm CMOS高精度過溫保護(hù)電路的設(shè)計(jì)[J]. 劉磊,羅萍,李航標(biāo). 微電子學(xué). 2013(03)
本文編號:3083411
【文章來源】:現(xiàn)代電子技術(shù). 2020,43(22)北大核心
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
過溫保護(hù)電路
電流隨溫度曲線
Vbias變化曲線
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]0.25 μm CMOS新型過溫保護(hù)電路的設(shè)計(jì)[J]. 葛興杰,陸鋒. 電子與封裝. 2018(06)
[2]基于遲滯比較器的過溫保護(hù)電路[J]. 李新,劉敏,張海寧. 中國集成電路. 2018(Z1)
[3]一種低功耗CMOS過溫保護(hù)電路的設(shè)計(jì)[J]. 李樹鎮(zhèn),馮全源. 應(yīng)用科技. 2017(01)
[4]CMOS帶隙基準(zhǔn)及過溫保護(hù)電路的研究[J]. 王文奇,汪瀅. 電子技術(shù)與軟件工程. 2015(24)
[5]基于電流比較的過溫保護(hù)電路設(shè)計(jì)[J]. 陳昊,龐英俊. 半導(dǎo)體技術(shù). 2015(02)
[6]新型低功耗過溫保護(hù)電路設(shè)計(jì)[J]. 茍靜,馮全源. 儀表技術(shù)與傳感器. 2014(07)
[7]一種嵌入式動(dòng)態(tài)鎖存比較器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J]. 謝晶,張文杰,謝亮,金湘亮. 微電子學(xué). 2013(06)
[8]0.13μm CMOS高精度過溫保護(hù)電路的設(shè)計(jì)[J]. 劉磊,羅萍,李航標(biāo). 微電子學(xué). 2013(03)
本文編號:3083411
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