為避免芯片內(nèi)部因溫度過(guò)高而造成損壞,以及確保芯片的可靠性和穩(wěn)定性,基于0.18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種高精度高靈敏度過(guò)溫保護(hù)電路。該電路通過(guò)引入帶有溫度系數(shù)電壓的反饋技術(shù),產(chǎn)生帶有溫度信息的邏輯電平,實(shí)現(xiàn)對(duì)電路工作狀態(tài)的控制,并給出細(xì)致的推導(dǎo)過(guò)程�；鶞�(zhǔn)電路可在寬范圍的輸入電壓和溫度下正常工作,保證過(guò)溫保護(hù)電路有穩(wěn)定的工作狀態(tài)和穩(wěn)定的輸出。電路包含正反饋結(jié)構(gòu),加速溫度檢測(cè)信號(hào)輸出的翻轉(zhuǎn),提高靈敏度。仿真結(jié)果表明,當(dāng)溫度超過(guò)160℃時(shí),保護(hù)電路開(kāi)啟,當(dāng)溫度降到150℃時(shí),保護(hù)電路關(guān)閉,且有10℃的溫度遲滯量。該電路能很好地抑制電源電壓變化造成的閾值點(diǎn)的漂移,有較高的精度,確保電路性能的穩(wěn)定。 

【文章來(lái)源】：現(xiàn)代電子技術(shù). 2020,43(22)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

過(guò)溫保護(hù)電路

電流隨溫度曲線(xiàn)

Vbias變化曲線(xiàn)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3083411