磷化銦（InP）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件具有高電子遷移率、低噪聲、低功耗和高增益的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于固態(tài)功率毫米波和微波電路中。采用減小器件的柵極長度（L_g）的方法可以提高器件的直流和微波性能,可使器件在更高的頻率下工作。緊湊型模型可用于將器件集成到電路設(shè)計(jì)和仿真的環(huán)境中,對InP HEMT模型的研究有深遠(yuǎn)的意義。工藝設(shè)計(jì)包（Process Design Kit,PDK）是連接設(shè)計(jì)制程及EDA設(shè)計(jì)工具之間的橋梁,PDK技術(shù)的研究有助于提升IC設(shè)計(jì)效率。本文針對InP HEMT器件建模及PDK技術(shù)進(jìn)行了研究。改進(jìn)的大信號等效電路模型考慮了短柵長的InP HEMT器件出現(xiàn)的短溝道效應(yīng),使用分段溝道電流建模的方法來擬合I-V曲線,溝道電流方程和柵電荷方程均連續(xù)、高階可導(dǎo),柵電荷模型滿足電荷守恒規(guī)律。改進(jìn)的小信號等效電路模型參數(shù)提取簡明,模型精度高。實(shí)現(xiàn)結(jié)果表明,本文提出的模型同傳統(tǒng)模型相比擬合效果更好,實(shí)用性強(qiáng)。開發(fā)了一70nm InP HEMT工藝的PDK,實(shí)現(xiàn)了電路仿真及版圖設(shè)計(jì)功能,可準(zhǔn)確地支持IC電路設(shè)計(jì)。主要的研究內(nèi)容如下:（1）闡述了InP HEM... 

【文章來源】：杭州電子科技大學(xué)浙江省

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

PDK與SDL流程以及設(shè)計(jì)工具之間的關(guān)系

異質(zhì)結(jié)能帶結(jié)構(gòu)圖

HEMT基本結(jié)構(gòu)及能帶圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3080535