底發(fā)射結(jié)構(gòu)光泵浦垂直外腔半導體激光器的若干關鍵技術研究
發(fā)布時間:2021-03-13 13:44
光泵浦垂直外腔面發(fā)射半導體激光器OPSL綜合了固體激光器與半導體激光器的優(yōu)勢,在光束質(zhì)量、出光功率、調(diào)諧區(qū)間以及波長覆蓋范圍等方面具有非常明顯的綜合性優(yōu)勢。自1997年M.Kuznetsov開創(chuàng)性地實現(xiàn)0.5W近衍射極限基模高斯光束輸出以來,OPSL因具有巨大的潛在工程應用價值,該方向在國際上受到了廣泛關注,標志性研究成果不斷涌現(xiàn)。基于半導體能帶工程,目前OPSL可實現(xiàn)的輸出波長已能夠連續(xù)覆蓋從可見到遠紅外的廣泛區(qū)域,在傳統(tǒng)激光器難以實現(xiàn)的特種波段上具有明顯優(yōu)勢;此外OPSL可集成諧振腔中后反射鏡以及可飽和吸收鏡,其腔結(jié)構(gòu)簡單,可實現(xiàn)低成本與超小型化封裝,在各種便攜式光譜設備上有著廣泛的應用空間。國際上對OPSL研究可分為理論研究、材料體系研究、高功率激光器研究以及外腔擴展應用研究。在理論研究方面,主要從微觀上研究OPSL增益片的增益特性、優(yōu)化量子阱結(jié)構(gòu)設計以及OPSL倍頻、鎖模過程的動力學特性;從宏觀上研究激光器熱管理,包括量子阱有源區(qū)熱流分布和激光器溫度場數(shù)值分析。OPSL外延生長材料體系研究已從可見光波段的In Ga P基質(zhì)、近紅外波段的Ga As基質(zhì)擴展至遠紅外的Ga Sb基質(zhì)...
【文章來源】:重慶大學重慶市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:151 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
激光二極管縱模與橫模光束輪廓[8]
頂發(fā)射結(jié)構(gòu)VCSEL剖面圖
光泵浦外腔面發(fā)射激光器示意圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Optimal oxide-aperture for improving the power conversion efficiency of VCSEL arrays[J]. 王文娟,李沖,周弘毅,武華,欒信信,史磊,郭霞. Chinese Physics B. 2015(02)
[2]高功率疊陣二極管激光器光束整形[J]. 武德勇,呂文強,魏彬,高松信. 強激光與粒子束. 2014(10)
[3]外腔面發(fā)射激光器GaAs基質(zhì)的酸性腐蝕[J]. 房啟鵬,詹小紅,梁一平,蔣茂華,朱仁江,吳建偉,張鵬. 激光技術. 2014(05)
[4]擴散焊技術的研究進展[J]. 郭夏陽,林建平,孫博. 熱加工工藝. 2014(17)
[5]半導體薄片激光器窗口散熱模式的熱效應[J]. 朱仁江,潘英俊,張鵬,戴特力,范嗣強,梁一平. 紅外與毫米波學報. 2014(03)
[6]硅晶圓上窄節(jié)距互連銅凸點[J]. 劉子玉,蔡堅,王謙,程熙云,石璐璐. 清華大學學報(自然科學版). 2014(01)
[7]高光束質(zhì)量大功率垂直腔面發(fā)射激光[J]. 寧永強,張星,秦莉,劉云,王偉,張立森,王貞福,王立軍. 紅外與激光工程. 2012(12)
[8]高功率InGaAs/GaAsP應變量子阱垂直腔面發(fā)射激光器列陣[J]. 劉迪,寧永強,張金龍,張星,王立軍. 光學精密工程. 2012(10)
[9]980nm半導體激光器長期老化結(jié)果及失效分析[J]. 劉斌,劉媛媛,崔碧峰. 激光與光電子學進展. 2012(09)
[10]薄膜基板芯片共晶焊技術研究[J]. 巫建華. 電子與封裝. 2012(06)
博士論文
[1]電子封裝無鉛釬料界面反應研究[D]. 衛(wèi)國強.華南理工大學 2012
[2]MOCVD設備工藝優(yōu)化理論與低溫InP/Si晶片鍵合機理的研究[D]. 鐘樹泉.北京郵電大學 2010
[3]功率器件無鉛焊料焊接層可靠性研究[D]. ?×.中國科學院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術研究所) 2005
本文編號:3080323
【文章來源】:重慶大學重慶市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:151 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
激光二極管縱模與橫模光束輪廓[8]
頂發(fā)射結(jié)構(gòu)VCSEL剖面圖
光泵浦外腔面發(fā)射激光器示意圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Optimal oxide-aperture for improving the power conversion efficiency of VCSEL arrays[J]. 王文娟,李沖,周弘毅,武華,欒信信,史磊,郭霞. Chinese Physics B. 2015(02)
[2]高功率疊陣二極管激光器光束整形[J]. 武德勇,呂文強,魏彬,高松信. 強激光與粒子束. 2014(10)
[3]外腔面發(fā)射激光器GaAs基質(zhì)的酸性腐蝕[J]. 房啟鵬,詹小紅,梁一平,蔣茂華,朱仁江,吳建偉,張鵬. 激光技術. 2014(05)
[4]擴散焊技術的研究進展[J]. 郭夏陽,林建平,孫博. 熱加工工藝. 2014(17)
[5]半導體薄片激光器窗口散熱模式的熱效應[J]. 朱仁江,潘英俊,張鵬,戴特力,范嗣強,梁一平. 紅外與毫米波學報. 2014(03)
[6]硅晶圓上窄節(jié)距互連銅凸點[J]. 劉子玉,蔡堅,王謙,程熙云,石璐璐. 清華大學學報(自然科學版). 2014(01)
[7]高光束質(zhì)量大功率垂直腔面發(fā)射激光[J]. 寧永強,張星,秦莉,劉云,王偉,張立森,王貞福,王立軍. 紅外與激光工程. 2012(12)
[8]高功率InGaAs/GaAsP應變量子阱垂直腔面發(fā)射激光器列陣[J]. 劉迪,寧永強,張金龍,張星,王立軍. 光學精密工程. 2012(10)
[9]980nm半導體激光器長期老化結(jié)果及失效分析[J]. 劉斌,劉媛媛,崔碧峰. 激光與光電子學進展. 2012(09)
[10]薄膜基板芯片共晶焊技術研究[J]. 巫建華. 電子與封裝. 2012(06)
博士論文
[1]電子封裝無鉛釬料界面反應研究[D]. 衛(wèi)國強.華南理工大學 2012
[2]MOCVD設備工藝優(yōu)化理論與低溫InP/Si晶片鍵合機理的研究[D]. 鐘樹泉.北京郵電大學 2010
[3]功率器件無鉛焊料焊接層可靠性研究[D]. ?×.中國科學院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術研究所) 2005
本文編號:3080323
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