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底發(fā)射結(jié)構(gòu)光泵浦垂直外腔半導(dǎo)體激光器的若干關(guān)鍵技術(shù)研究

發(fā)布時間:2021-03-13 13:44
  光泵浦垂直外腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器OPSL綜合了固體激光器與半導(dǎo)體激光器的優(yōu)勢,在光束質(zhì)量、出光功率、調(diào)諧區(qū)間以及波長覆蓋范圍等方面具有非常明顯的綜合性優(yōu)勢。自1997年M.Kuznetsov開創(chuàng)性地實(shí)現(xiàn)0.5W近衍射極限基模高斯光束輸出以來,OPSL因具有巨大的潛在工程應(yīng)用價值,該方向在國際上受到了廣泛關(guān)注,標(biāo)志性研究成果不斷涌現(xiàn)。基于半導(dǎo)體能帶工程,目前OPSL可實(shí)現(xiàn)的輸出波長已能夠連續(xù)覆蓋從可見到遠(yuǎn)紅外的廣泛區(qū)域,在傳統(tǒng)激光器難以實(shí)現(xiàn)的特種波段上具有明顯優(yōu)勢;此外OPSL可集成諧振腔中后反射鏡以及可飽和吸收鏡,其腔結(jié)構(gòu)簡單,可實(shí)現(xiàn)低成本與超小型化封裝,在各種便攜式光譜設(shè)備上有著廣泛的應(yīng)用空間。國際上對OPSL研究可分為理論研究、材料體系研究、高功率激光器研究以及外腔擴(kuò)展應(yīng)用研究。在理論研究方面,主要從微觀上研究OPSL增益片的增益特性、優(yōu)化量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及OPSL倍頻、鎖模過程的動力學(xué)特性;從宏觀上研究激光器熱管理,包括量子阱有源區(qū)熱流分布和激光器溫度場數(shù)值分析。OPSL外延生長材料體系研究已從可見光波段的In Ga P基質(zhì)、近紅外波段的Ga As基質(zhì)擴(kuò)展至遠(yuǎn)紅外的Ga Sb基質(zhì)... 

【文章來源】:重慶大學(xué)重慶市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:151 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

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激光二極管縱模與橫模光束輪廓[8]

底發(fā)射結(jié)構(gòu)光泵浦垂直外腔半導(dǎo)體激光器的若干關(guān)鍵技術(shù)研究


頂發(fā)射結(jié)構(gòu)VCSEL剖面圖

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光泵浦外腔面發(fā)射激光器示意圖

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[8]高功率InGaAs/GaAsP應(yīng)變量子阱垂直腔面發(fā)射激光器列陣[J]. 劉迪,寧永強(qiáng),張金龍,張星,王立軍.  光學(xué)精密工程. 2012(10)
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博士論文
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[2]MOCVD設(shè)備工藝優(yōu)化理論與低溫InP/Si晶片鍵合機(jī)理的研究[D]. 鐘樹泉.北京郵電大學(xué) 2010
[3]功率器件無鉛焊料焊接層可靠性研究[D]. 常俊玲.中國科學(xué)院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所) 2005



本文編號:3080323

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