發(fā)布時(shí)間：2021-03-12 18:28

　　高功率高重復(fù)頻率超快電脈沖的產(chǎn)生技術(shù)是一系列高科技研究與前沿研究的基礎(chǔ),在通信、雷達(dá)、電子對(duì)抗、電磁武器、核爆模擬、激光核聚變、環(huán)境保護(hù)、食品保鮮、材料改性等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。在兼顧高重復(fù)頻率電脈沖的功率和超短脈沖寬度兩個(gè)方面,砷化鎵（Gallium arsenide,GaAs）光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)（photoconductive semiconductor switch,PCSS）因其卓越的性能而被視為最有潛力的超快開(kāi)關(guān)器件。然而,在高功率高重復(fù)頻率的重大應(yīng)用需求下,GaAs PCSS的線性模式和高倍增模式都存在應(yīng)用上的不足。線性模式下GaAs PCSS能迅速斷開(kāi),可以工作于較高的重復(fù)頻率;同時(shí)由于沒(méi)有電子的雪崩倍增現(xiàn)象,所以GaAs PCSS的工作壽命高,輸出波形易于調(diào)控。由于線性模式不具備支持電子雪崩倍增的偏置電場(chǎng)條件,也就不具有雪崩倍增效應(yīng),于是要想獲得高功率輸出的電脈沖,就需要較大功率的脈沖激光器觸發(fā)GaAs PCSS。但是因?yàn)楦吖β始す馄鞯某杀靖甙�、系統(tǒng)復(fù)雜,制約了GaAs PCSS在脈沖功率領(lǐng)域中更好的發(fā)展。人們關(guān)注到高倍增模式具有比線性模式上升時(shí)間短、所需觸發(fā)光能量低的優(yōu)勢(shì),這就... 

【文章來(lái)源】：西安理工大學(xué)陜西省

【文章頁(yè)數(shù)】：60 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

GaAsPCSS的測(cè)試電路

GaAsPCSS結(jié)構(gòu)示意圖

GaAsPCSS線性和高倍增工作模式的輸出波形對(duì)比圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]紅外猝滅非線性砷化鎵光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)產(chǎn)生太赫茲的實(shí)驗(yàn)研究（英文）[J]. 徐鳴,李孟霞,安鑫,卞康康,施衛(wèi).  紅外與激光工程. 2016(04)
[2]高增益雙層組合GaAs光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)研究[J]. 施衛(wèi),王馨梅,侯磊,徐鳴,劉崢.  物理學(xué)報(bào). 2008(11)
[3]半絕緣GaAs光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)中光激發(fā)電荷疇的猝滅疇模式（英文）[J]. 田立強(qiáng),施衛(wèi).  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2008(10)
[4]高功率超短電磁脈沖微波源及其應(yīng)用[J]. 施衛(wèi),孫強(qiáng),李琦.  西安理工大學(xué)學(xué)報(bào). 1999(01)
[5]高倍增 GaAs 光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)與研制[J]. 施衛(wèi),梁振憲,徐傳驤.  西安交通大學(xué)學(xué)報(bào). 1998(08)

博士論文
[1]GaAs光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)中載流子輸運(yùn)規(guī)律研究[D]. 屈光輝.西安理工大學(xué) 2009

碩士論文
[1]半絕緣GaAs開(kāi)關(guān)中光激發(fā)電荷疇的理論研究[D]. 曾駿.西安理工大學(xué) 2008
[2]光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)非線性模式的機(jī)理分析及應(yīng)用研究[D]. 田立強(qiáng).西安理工大學(xué) 2004
[3]砷化鎵光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)瞬態(tài)特性研究[D]. 陳二柱.西安理工大學(xué) 2002



本文編號(hào)：3078773