隨著智能化理念深入生活的方方面面,各類終端產(chǎn)品有了更高的應用需求,對于電源管理芯片的要求也就隨之提高。在所有電源管理方案中,低壓差線性穩(wěn)壓器（Linear Voltage Regulator,LDO）越來越備受矚目。據(jù)統(tǒng)計,在電源芯片應用上,LDO市場份額高達20%。本論文設(shè)計了一款適用于某多相降壓型脈沖寬度調(diào)制控制器的LDO。該LDO輸入電壓范圍在3-10V,當電源電壓在3V-6V之間,LDO進入臨界壓差（dropout）電壓域,在6V-10V之間,輸出電壓穩(wěn)定在5.5V左右。綜合LDO的工作原理和多相降壓型脈沖寬度調(diào)制控制器對LDO的要求,設(shè)計了LDO的各組成模塊,包括帶隙基準電壓源（Band Gap Reference,BGR）、誤差放大器（Error Amplifier,EA）、功率管（Pass Transistor）、輔助電路等。設(shè)計采用華虹0.35μm BCD工藝,利用Cadence的SPECTRE軟件對各組成模塊和整體LDO電路進行仿真。最后設(shè)計了LDO的版圖。本設(shè)計創(chuàng)新之處在于:針對功率管上電啟動時存在漏極電流偏大導致電路功耗增加的問題,提出一種啟動沖擊電流抑制電路,引... 

【文章來源】：遼寧大學遼寧省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：83 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

2014-2020 年中國（單位：億元）和全球（單位：億美元）模擬 IC 市場規(guī)模

1 LDO 的基本結(jié)構(gòu)傳統(tǒng) LDO 主要包含基準源（Band Gap Reference, BGR）、誤差放大器lifier, EA)、功率管（Pass Transistor）、保護電路、電阻反饋網(wǎng)絡等[1DO 的拓撲結(jié)構(gòu)如圖 2-1 所示。

dropout電壓示意圖

【參考文獻】：
期刊論文
[1]一種快速瞬態(tài)響應型自啟動LDO的設(shè)計[J]. 周朝陽,馮全源.  微電子學. 2016(02)
[2]一種快速瞬態(tài)響應LDO的設(shè)計與實現(xiàn)[J]. 趙寧,宋奎鑫,童偉.  微電子學. 2014(05)
[3]高電源電壓抑制、低功耗片上低壓差線性穩(wěn)壓器的研究與設(shè)計[J]. 金禹錚,付宇卓.  微電子學與計算機. 2014(05)
[4]一種新穎的LDO線性穩(wěn)壓器[J]. 萬輝,劉聚川.  微電子學. 2013(03)
[5]寬電源電壓集成電壓基準源設(shè)計[J]. 寧江華.  電子世界. 2013(08)
[6]集成電路中的天線效應[J]. 劉義凱,劉麗娜.  微處理機. 2011(06)
[7]混合電路串擾和襯底耦合噪聲的優(yōu)化分析[J]. 呂霆,陳蕊.  電子工藝技術(shù). 2010(03)
[8]無電容型LDO的研究現(xiàn)狀與進展[J]. 鄒志革,鄒雪城,雷鑑銘,楊詩洋,陳曉飛,余國義.  微電子學. 2009(02)
[9]一種新穎的自偏置有源負載放大器[J]. 錢江,桑紅石,陳嘉.  微電子學. 2008(05)
[10]電源IC發(fā)展趨勢綜述[J]. 亦光.  電子測試. 2007(12)

碩士論文
[1]一種具有高PSRR及快速瞬態(tài)響應的供電電路設(shè)計與研究[D]. 郭瑋.西南交通大學 2017
[2]高精度LDO設(shè)計及仿真[D]. 林國偉.電子科技大學 2016
[3]一種兩級LDO電路的研究[D]. 王磊.西安科技大學 2016
[4]低壓差線性穩(wěn)壓源的研究與設(shè)計[D]. 蘇鳳梅.河北大學 2016
[5]CMOS全差分放大器的研究與設(shè)計[D]. 李帥三.黑龍江大學 2015
[6]一種高性能帶隙基準源的設(shè)計[D]. 李竹影.西南交通大學 2015
[7]高性能低壓差線性穩(wěn)壓器的設(shè)計與分析[D]. 孫國棟.哈爾濱理工大學 2015
[8]一種快速瞬態(tài)響應、高效率、高穩(wěn)定性LDO芯片的設(shè)計[D]. 何澤煒.電子科技大學 2015
[9]低壓低功耗滿擺幅CMOS運算放大器的研究與設(shè)計[D]. 郭虎.蘭州交通大學 2013
[10]一種基于雙極工藝的LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計[D]. 申印臣.電子科技大學 2012



本文編號：3066510