基于40 nm CMOS工藝,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效應(yīng)的優(yōu)化。分析了增大LDD注入傾角、二次LDD注入由P注入變?yōu)锳s注入兩種措施對(duì)電學(xué)特性的影響。測(cè)試結(jié)果表明,兩種措施均對(duì)器件的襯底電流、關(guān)態(tài)泄漏電流產(chǎn)生較好效果。利用TCAD工具,模擬了LDD注入工藝的優(yōu)化對(duì)摻雜形貌、電場分布和碰撞電離強(qiáng)度的影響。分析了HCI-GIDL效應(yīng)得以優(yōu)化的物理機(jī)制。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

HCI效應(yīng)示意圖

在Sentaurus TCAD工具中,設(shè)置LDD注入傾角分別為小、中、大,注入能量分別為A、B、C (C>B>A)。通過排列組合進(jìn)行仿真。3種注入能量、3種注入角度時(shí)的Iboff-Isub關(guān)系如圖4所示�？梢钥闯�,在能量A、大傾角LDD注入方式下,Iboff和Isub大幅減小,兩種效應(yīng)均獲得改善。在實(shí)際流片中,原工藝為垂直注入,改良工藝為大傾角注入。大傾角注入時(shí)的Iboff-Isub趨勢(shì)如圖5所示�？梢钥闯�,相比于無傾角注入方式,大傾角注入方式(即改良工藝)的Iboff-Isub趨勢(shì)向原點(diǎn)方向漂移。

在實(shí)際流片中,原工藝為垂直注入,改良工藝為大傾角注入。大傾角注入時(shí)的Iboff-Isub趨勢(shì)如圖5所示�？梢钥闯�,相比于無傾角注入方式,大傾角注入方式(即改良工藝)的Iboff-Isub趨勢(shì)向原點(diǎn)方向漂移。圖5 大傾角注入時(shí)的Iboff -Isub趨勢(shì)

【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]新型MOSFET器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、建模及特性模擬[D]. 鄭長勇.安徽大學(xué) 2015



本文編號(hào)：3064825