防離子反饋微通道板過渡載膜的去除對其性能和質(zhì)量有重要影響。本文分析討論和實(shí)驗(yàn)研究了硝化纖維素膜的去除技術(shù)。采用氫氣保護(hù)熱處理和紫外輻照法去除硝化纖維素過渡載膜,使用XPS、體電阻和電流增益測試分析了處理過程中的表面成分和性能變化,討論了硝化纖維素膜成分去除和微通道板性能保持的問題。認(rèn)為氫氣保護(hù)熱處理和紫外輻照能有效去除硝化纖維素膜成分。 

【文章來源】：紅外技術(shù). 2020,42(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

微通道板輸入面表面結(jié)構(gòu)Fig.1Surfacestructureofinputsurfaceofmicro-channelplate

第42卷第4期Vol.42No.42020年4月李相鑫等：硝化纖維素膜去除技術(shù)研究Apr.2020401的影響。Al元素可作為氧化鋁膜的標(biāo)志元素，反映防離子反饋膜在去除過程中的變化。氫氣保護(hù)熱處理后樣品XPS如圖2所示�？芍�，經(jīng)氫氣保護(hù)熱處理以后，碳含量在刻蝕初期（刻蝕時(shí)間＜50s）即迅速下降至5%以下；在此刻蝕深度范圍內(nèi)，Cr和Ni元素含量迅速上升。從刻蝕初期的XPS圖譜來看，Cr元素趨于平穩(wěn)后，C元素已下降至相對含量2%，這表明經(jīng)氫氣保護(hù)熱處理后，C元素在電極層深度以外即被控制在微通道板本征含量范圍（相對含量1.5%）以內(nèi)，可認(rèn)為氫氣保護(hù)熱處理有效實(shí)現(xiàn)了硝化纖維素膜成分的去除。Al元素在氫氣保護(hù)熱處理以后，在刻蝕過程中相對含量保持穩(wěn)定在3%以下。制備態(tài)樣品XPS如圖3所示，可知Al元素在一定刻蝕深度范圍內(nèi)，其相對含量可保持在10%以上。由此可知，在氫氣保護(hù)熱處理過程中，Al元素相對含量發(fā)生了變化，這可能是Al元素和電極層的Cr和Ni元素發(fā)生了互擴(kuò)散，在熱處理?xiàng)l件下，成分?jǐn)U散是不可避免的。圖2氫氣保護(hù)熱處理后樣品XPSFig.2X-rayphotoelectronspectroscopyofsamplesafterhydrogenprotectionheattreatment圖3制備態(tài)樣品XPSFig.3X-rayphotoelectronspectroscopyofpreparedsamples由圖4可知，紫外輻照后，C元素的相對含量在刻蝕初期即下降到了0.3%以下，并始終保持在此含量以內(nèi)，隨刻蝕深度增加，Ni元素含量趨于平穩(wěn)，表明刻蝕已進(jìn)入電極層深度范圍內(nèi)。C元素相對含量隨刻蝕深度的變化規(guī)律表明，紫外輻照過程有效地去除了硝化纖維素成分。圖4紫外輻照后XPSFig.4X-rayphotoelectronspectrosco

討邢嘍院?勘３治榷ㄔ?3%以下。制備態(tài)樣品XPS如圖3所示，可知Al元素在一定刻蝕深度范圍內(nèi)，其相對含量可保持在10%以上。由此可知，在氫氣保護(hù)熱處理過程中，Al元素相對含量發(fā)生了變化，這可能是Al元素和電極層的Cr和Ni元素發(fā)生了互擴(kuò)散，在熱處理?xiàng)l件下，成分?jǐn)U散是不可避免的。圖2氫氣保護(hù)熱處理后樣品XPSFig.2X-rayphotoelectronspectroscopyofsamplesafterhydrogenprotectionheattreatment圖3制備態(tài)樣品XPSFig.3X-rayphotoelectronspectroscopyofpreparedsamples由圖4可知，紫外輻照后，C元素的相對含量在刻蝕初期即下降到了0.3%以下，并始終保持在此含量以內(nèi)，隨刻蝕深度增加，Ni元素含量趨于平穩(wěn)，表明刻蝕已進(jìn)入電極層深度范圍內(nèi)。C元素相對含量隨刻蝕深度的變化規(guī)律表明，紫外輻照過程有效地去除了硝化纖維素成分。圖4紫外輻照后XPSFig.4X-rayphotoelectronspectroscopyofsamplesafterultravioletirradiation在到達(dá)一定刻蝕深度范圍（刻蝕時(shí)間≥100s），Cr和Ni元素相對含量逐漸升高，Al元素相對含量逐漸下降，待Ni元素相對含量趨于穩(wěn)定后，Al元素相對含量也趨近于不可偵測。這說明在電極層深度范圍內(nèi)，Al元素相對含量極低，表明紫外輻照過程中，沒有發(fā)生明顯的成分?jǐn)U散過程。顯然，這因?yàn)樽贤廨椪帐窃谑覝叵逻M(jìn)行，未有足夠的能量支持元素的互擴(kuò)散。在一定的刻蝕深度范圍（刻蝕時(shí)間0～200s）內(nèi)，O元素相對含量穩(wěn)定保持在50%以上；如圖3所示，在一定的深度范圍內(nèi)，制備態(tài)樣品的O元素相對含量保持在25%以下，這表明在紫外輻照過程中，環(huán)境中氧元素富集到了微通道板輸入端表面，微通道板表

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
[1]MCP防離子反饋膜背散射電子特性研究[D]. 焦宇鵬.長春理工大學(xué) 2014
[2]基于真空除氣的微通道板噪聲抑制技術(shù)研究[D]. 聶晶.西安工業(yè)大學(xué) 2013
[3]微通道板離子壁壘膜的進(jìn)一步研究[D]. 房立峰.長春理工大學(xué) 2011



本文編號：3063334