在歐洲電子元器件及系統(tǒng)輻射效應(yīng)會議（RADECS）最近一次大會報告上指出,歐羅巴木星探測器的抗總劑量指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到300krad（Si）。隨著宇航、深空探測以及各種衛(wèi)星技術(shù)不斷發(fā)展,長壽命、高可靠衛(wèi)星已逐漸成為主流。而相關(guān)研究根據(jù)工程需求,對于器件的輻射效應(yīng)研究主要集中在低總劑量范圍內(nèi)和低劑量率條件下（100krad（Si）和0.01rad（Si）/s）,而衛(wèi)星在更高的總劑量下以及極低劑量率空間輻射環(huán)境（劑量率<0.01rad（Si）/s）,受高能粒子影響發(fā)生更為嚴(yán)重的退化,給航天電子系統(tǒng)可靠性帶來重大隱患。隨著我國對于外太空研究探索不斷深入,同時為了加快電子元器件國產(chǎn)化,自主可控進(jìn)程,本文首次研究國產(chǎn)雙極晶體管在高總劑量200krad（Si）范圍內(nèi)和極低劑量率<0.01rad（Si）/s下的劑量率效應(yīng)。本文的研究內(nèi)容主要包括以下三個方面:一方面,為了研究在更高總劑量下,國產(chǎn)雙極晶體管在不同的偏置狀態(tài)時,電離輻射損傷有何不同,以及損傷與偏置條件的關(guān)系,本文選用了兩款PNP、兩款NPN晶體管在三種不同偏置狀態(tài)下進(jìn)行了輻照試驗。結(jié)果發(fā)現(xiàn):在高總劑量范圍下,輻照偏置條件仍會對國產(chǎn)雙... 

【文章來源】：新疆大學(xué)新疆維吾爾自治區(qū) 211工程院校

【文章頁數(shù)】：62 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

地球磁場俘獲帶示意圖

自地球外部的這些高能帶電粒子在進(jìn)入地球磁層后，受磁場的作用運動軌跡偏轉(zhuǎn)，強度存在一定梯度，從日冕邊緣向內(nèi)逐漸衰減。這些高能粒子作用在體材料上，會造成單粒子效應(yīng)(SEE)�？臻g輻射環(huán)境強烈依賴于太陽的活動，太陽耀斑爆發(fā)向外發(fā)射的宇宙線的成分為高能質(zhì)子，又被稱為太陽質(zhì)子事件,如圖 2-2 所示，噴發(fā)可持續(xù)數(shù)百分

0Coγ點源圖


本文編號：3062181