隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,人們對通信系統(tǒng)的要求愈發(fā)嚴(yán)格,在半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展的今天,微波單片集成電路（MMIC）很好地滿足了人們的需求。它集截止頻率高、一致性好、損耗低、輸出功率高等特點于一身,因此被廣泛地應(yīng)用于各種民用通信系統(tǒng)與軍用設(shè)備。在微波毫米波系統(tǒng)中,T/R組件是關(guān)鍵的組成部分,它是用來接收和發(fā)射微波信號的模塊。開關(guān)與衰減器是T/R組件中的重要信號控制電路,開關(guān)控制著信號的通斷與路徑選擇,數(shù)控衰減器在相控陣系統(tǒng)中與數(shù)控移相器一起控制著雷達(dá)系統(tǒng)的波束方向與大小。因此,研究微波開關(guān)與數(shù)控衰減器并提升它們的性能對有源相控陣?yán)走_(dá)和各類T/R組件有重要意義。本文通過分析現(xiàn)代通信系統(tǒng)對微波開關(guān)和數(shù)控衰減器的指標(biāo)要求,總結(jié)微波開關(guān)與數(shù)控衰減器的設(shè)計方法與目前的發(fā)展水平,進(jìn)行了微波開關(guān)和數(shù)控衰減器電路的研究與設(shè)計。本論文分為兩個部分,分別介紹微波開關(guān)與數(shù)控衰減器,其中微波開關(guān)部分介紹兩個設(shè)計,數(shù)控衰減器部分介紹一個三位數(shù)控衰減器。DC¹5 GHz寬帶單刀雙擲開關(guān)基于0.25μm GaAs耗盡型pHEMT工藝設(shè)計,首先根據(jù)指標(biāo)結(jié)合理論選擇串并聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),通過原理圖、版圖仿真,... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

差分吸收式單刀雙擲開關(guān)

圖 1-4 130~180 GHz 磁諧振式開關(guān)原理圖17 年，Li Zhao，Wen-Feng Liang 等人提出了一種使用 0.1μm G超寬帶、高隔離度和高線性度的 SPDT[10]，在 35~70 GHz小于 3 dB，隔離度大于 40 dB，輸入 1 dB 壓縮點為 20.2 dB 0.8 mm2。該開關(guān)的主要特點是使用了分布式結(jié)構(gòu)來拓展帶的源極作為并聯(lián)的輸入端以減小漏極連線的寄生電感對性1-5 所示，是該開關(guān)的原理圖和芯片照片。（a） （b）

圖 1-4 130~180 GHz 磁諧振式開關(guān)原理圖在 2017 年，Li Zhao，Wen-Feng Liang 等人提出了一種使用 0.1μm GaAs pHEMT工藝設(shè)計的超寬帶、高隔離度和高線性度的 SPDT[10]，在 35~70 GHz 帶寬內(nèi)達(dá)到了插入損耗小于 3 dB，隔離度大于 40 dB，輸入 1 dB 壓縮點為 20.2 dBm，芯片面積為 1.2 × 0.8 mm2。該開關(guān)的主要特點是使用了分布式結(jié)構(gòu)來拓展帶寬，同時使用了晶體管的源極作為并聯(lián)的輸入端以減小漏極連線的寄生電感對性能造成的影響，如圖 1-5 所示，是該開關(guān)的原理圖和芯片照片。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]一種X波段低附加相位的6位單片數(shù)控衰減器[J]. 劉凡,熊翼通,劉志偉.  微電子學(xué). 2018(02)

博士論文
[1]硅基微波/毫米波相控陣收發(fā)芯片設(shè)計[D]. 劉超.電子科技大學(xué) 2016

碩士論文
[1]InGaAs/GaAs PHEMT器件模型的建立與優(yōu)化[D]. 劉雨非.西安電子科技大學(xué) 2018
[2]0-4GHz MMIC集成串并轉(zhuǎn)換數(shù)控衰減器芯片研制[D]. 王康睿.浙江大學(xué) 2018
[3]高線性寬帶非對稱SPDT射頻開關(guān)設(shè)計[D]. 耿紅亮.浙江大學(xué) 2017
[4]GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件對比特性研究[D]. 霍宇.山東大學(xué) 2017
[5]超寬帶低相移單片六位微波數(shù)字衰減器的設(shè)計與研究[D]. 錢桂香.南京理工大學(xué) 2008



本文編號：3054744