多鐵異質(zhì)結(jié)中電場(chǎng)對(duì)磁電輸運(yùn)的影響
發(fā)布時(shí)間:2021-02-26 19:06
基于多鐵異質(zhì)結(jié)及其磁電耦合效應(yīng)的器件主要可應(yīng)用于以下兩個(gè)領(lǐng)域:一方面是在微波領(lǐng)域,包括電場(chǎng)可調(diào)的傳感器、探測(cè)器、移相器等;另一方面是各種電子、自旋電子領(lǐng)域,包括能量捕獲、存儲(chǔ)器件、信號(hào)處理器、驅(qū)動(dòng)器等。電場(chǎng)控制磁性的機(jī)制主要有三種:交換偏置效應(yīng)的調(diào)制機(jī)制、界面電荷的調(diào)制機(jī)制、應(yīng)變效應(yīng)的調(diào)制機(jī)制。磁電耦合材料在微波和新型電子/自旋電子器件中有著重要應(yīng)用前景。應(yīng)變調(diào)控機(jī)制受到了人們的廣泛關(guān)注。本論文基于應(yīng)變調(diào)控的電場(chǎng)調(diào)控機(jī)制探究電場(chǎng)對(duì)單層鐵磁器件/鐵電薄膜,以及磁性隧道結(jié)/壓電襯底的異質(zhì)結(jié)的磁電輸運(yùn)的影響,主要研究工作如下:1.NiFe鐵磁條帶/Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01012(BNTM)鐵電薄膜異質(zhì)結(jié)的制備及性能研究。在Pt(111)/Ti/Si02/Si(100)襯底上用溶膠凝膠法沉積質(zhì)量較好的BNTM薄膜,用微納加工方法制備鐵磁NiFe條帶器件。通過給BNTM薄膜施加電場(chǎng)產(chǎn)生應(yīng)變效應(yīng),來(lái)調(diào)制NiFe條帶器件磁電輸運(yùn)性能。通過電場(chǎng)調(diào)制了器件的磁電阻,以及使得鐵磁共振譜發(fā)生了位移和形狀變化。施加電場(chǎng)調(diào)控異質(zhì)結(jié)中的自旋軌道力矩,改變了自旋軌道力矩比值(τa:τb,類場(chǎng)...
【文章來(lái)源】:湘潭大學(xué)湖南省
【文章頁(yè)數(shù)】:76 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2復(fù)合多鐵性磁電材料、單相多鐵性、磁電效應(yīng)及理論的發(fā)展歷史1121??多鐵性異質(zhì)結(jié)構(gòu)將成為未來(lái)的研宄方向,吸引越來(lái)越多的研究者研宄
??圖1.2所示為復(fù)合多鐵性磁電材料、單相多鐵性、磁電效應(yīng)及理論的發(fā)展歷??史[12]。鐵電材料能夠提供了一個(gè)大的且可切換電場(chǎng),能滿足低功耗的要求,以及??實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)控制非易失性磁存儲(chǔ)等器件。鐵電材料因?yàn)槠渚哂蟹且资院妥x取速度??快等特點(diǎn),可以被用于鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(Ferroelectric?random?access?memory,??FeRAM)m。鐵磁材料(Ferromagnetic,FM)是一種具有自發(fā)磁極化、且磁極化的??大小和方向會(huì)隨著外加磁場(chǎng)的變化而發(fā)生改變,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)非易失信息存儲(chǔ)及開關(guān)??功能的一種材料。從應(yīng)用的角度來(lái)看,鐵磁材料己被開發(fā)來(lái)實(shí)現(xiàn)各種電子、自旋??電子器件,包括能量捕獲、存儲(chǔ)器件、傳感器、信號(hào)處理器、驅(qū)動(dòng)器等[|3_|7]。??磁電效應(yīng)'單相多鐵怍發(fā)展歷史???r——??r-?????MF?H?Schnnd:?Ramensh:????_“1卜??Multi-ferroics?BiFe03?薄膜??Dzyaloshinskii?磷酸??If5?Astrov??預(yù)測(cè): ̄^ ̄??Curie:磁?"Magncto>??電效砬的?electricity"?池?_??I?——?g?
BiFe03薄膜呈現(xiàn)出復(fù)雜且很好的疇特性。通過分析BiFeO^^膜的壓電顯微??鏡圖像,可知鐵電疇結(jié)構(gòu)為面內(nèi)(IP,In-plane)和面外(OOP,Out-of-plane)的。從??圖1.3中可識(shí)別三種疇壁,比如71°、109°和180°[23]。目前,人們可以成功地在??BFO薄膜生長(zhǎng)過程中或之后來(lái)控制疇的結(jié)構(gòu),如圖[1.3?(c)-1.3?(d)][24]。控制BFO??薄膜的鐵電疇產(chǎn)生己經(jīng)揭示出一些有趣的疇相關(guān)的理論,比如疇壁的高電導(dǎo)率以??及窄帶隙光伏電壓[25]。??RMn03為六角錳氧化物,其中R為稀土元素,比如Y、Tb等。其鐵電性不??太穩(wěn)定,主要源于復(fù)雜結(jié)構(gòu)畸變。YMn03晶體空間群P63cm是由被Y3+片分離??的Mn05三角雙錐薄膜組成的一個(gè)層狀結(jié)構(gòu)。通過第一性原理計(jì)算得到詳細(xì)的結(jié)??構(gòu)分析,發(fā)現(xiàn)鐵電性源于雙錐結(jié)構(gòu)的變形伴隨著釔離子垂直移位,而Mn離子保??持在氧錐結(jié)構(gòu)的中心[26]。因此,主要的電偶極矩來(lái)自于Y-O鍵,而不是Y-Mn??鍵。YMn03&是一種A型反鐵磁體,奈爾(NSel)溫度為80K遠(yuǎn)低于鐵電臨界溫??度914?。這種典型的單相多鐵性材料具有相差這么大的臨界溫度
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]多鐵性材料研究進(jìn)展及發(fā)展方向[J]. 南策文. 中國(guó)科學(xué):技術(shù)科學(xué). 2015(04)
[2]硅的反應(yīng)離子刻蝕實(shí)驗(yàn)研究[J]. 彭明發(fā),何小蝶,吳海華. 實(shí)驗(yàn)科學(xué)與技術(shù). 2015(01)
[3]現(xiàn)代透射電子顯微技術(shù)在多鐵材料研究中的應(yīng)用[J]. 楊槐馨,李俊,張穎,馬超,李建奇. 物理. 2014(02)
[4]磁控濺射氧化釩薄膜的研究進(jìn)展[J]. 夏國(guó)宏. 中國(guó)陶瓷. 2012(07)
博士論文
[1]釹錳共摻的鈦酸鉍鐵電薄膜的性能調(diào)控及其極化翻轉(zhuǎn)疲勞機(jī)理研究[D]. 張萬(wàn)里.湘潭大學(xué) 2017
[2]多重鐵性復(fù)合薄膜的制備及磁—力—電耦合性能研究[D]. 唐振華.湘潭大學(xué) 2015
碩士論文
[1]基于離子束刻蝕技術(shù)的反臺(tái)面型MQCM研究[D]. 謝小川.西南交通大學(xué) 2016
[2]BNTM-LSMO多鐵性復(fù)合薄膜的制備及磁電性能研究[D]. 陳強(qiáng)寧.湘潭大學(xué) 2016
[3]BNT與BFO及其復(fù)合薄膜的制備與鐵電性能研究[D]. 王國(guó)陽(yáng).湘潭大學(xué) 2011
[4]電子束蒸發(fā)法制備摻雜氧化鋯薄膜[D]. 李鑫.電子科技大學(xué) 2006
本文編號(hào):3053032
【文章來(lái)源】:湘潭大學(xué)湖南省
【文章頁(yè)數(shù)】:76 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2復(fù)合多鐵性磁電材料、單相多鐵性、磁電效應(yīng)及理論的發(fā)展歷史1121??多鐵性異質(zhì)結(jié)構(gòu)將成為未來(lái)的研宄方向,吸引越來(lái)越多的研究者研宄
??圖1.2所示為復(fù)合多鐵性磁電材料、單相多鐵性、磁電效應(yīng)及理論的發(fā)展歷??史[12]。鐵電材料能夠提供了一個(gè)大的且可切換電場(chǎng),能滿足低功耗的要求,以及??實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)控制非易失性磁存儲(chǔ)等器件。鐵電材料因?yàn)槠渚哂蟹且资院妥x取速度??快等特點(diǎn),可以被用于鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(Ferroelectric?random?access?memory,??FeRAM)m。鐵磁材料(Ferromagnetic,FM)是一種具有自發(fā)磁極化、且磁極化的??大小和方向會(huì)隨著外加磁場(chǎng)的變化而發(fā)生改變,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)非易失信息存儲(chǔ)及開關(guān)??功能的一種材料。從應(yīng)用的角度來(lái)看,鐵磁材料己被開發(fā)來(lái)實(shí)現(xiàn)各種電子、自旋??電子器件,包括能量捕獲、存儲(chǔ)器件、傳感器、信號(hào)處理器、驅(qū)動(dòng)器等[|3_|7]。??磁電效應(yīng)'單相多鐵怍發(fā)展歷史???r——??r-?????MF?H?Schnnd:?Ramensh:????_“1卜??Multi-ferroics?BiFe03?薄膜??Dzyaloshinskii?磷酸??If5?Astrov??預(yù)測(cè): ̄^ ̄??Curie:磁?"Magncto>??電效砬的?electricity"?池?_??I?——?g?
BiFe03薄膜呈現(xiàn)出復(fù)雜且很好的疇特性。通過分析BiFeO^^膜的壓電顯微??鏡圖像,可知鐵電疇結(jié)構(gòu)為面內(nèi)(IP,In-plane)和面外(OOP,Out-of-plane)的。從??圖1.3中可識(shí)別三種疇壁,比如71°、109°和180°[23]。目前,人們可以成功地在??BFO薄膜生長(zhǎng)過程中或之后來(lái)控制疇的結(jié)構(gòu),如圖[1.3?(c)-1.3?(d)][24]。控制BFO??薄膜的鐵電疇產(chǎn)生己經(jīng)揭示出一些有趣的疇相關(guān)的理論,比如疇壁的高電導(dǎo)率以??及窄帶隙光伏電壓[25]。??RMn03為六角錳氧化物,其中R為稀土元素,比如Y、Tb等。其鐵電性不??太穩(wěn)定,主要源于復(fù)雜結(jié)構(gòu)畸變。YMn03晶體空間群P63cm是由被Y3+片分離??的Mn05三角雙錐薄膜組成的一個(gè)層狀結(jié)構(gòu)。通過第一性原理計(jì)算得到詳細(xì)的結(jié)??構(gòu)分析,發(fā)現(xiàn)鐵電性源于雙錐結(jié)構(gòu)的變形伴隨著釔離子垂直移位,而Mn離子保??持在氧錐結(jié)構(gòu)的中心[26]。因此,主要的電偶極矩來(lái)自于Y-O鍵,而不是Y-Mn??鍵。YMn03&是一種A型反鐵磁體,奈爾(NSel)溫度為80K遠(yuǎn)低于鐵電臨界溫??度914?。這種典型的單相多鐵性材料具有相差這么大的臨界溫度
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]多鐵性材料研究進(jìn)展及發(fā)展方向[J]. 南策文. 中國(guó)科學(xué):技術(shù)科學(xué). 2015(04)
[2]硅的反應(yīng)離子刻蝕實(shí)驗(yàn)研究[J]. 彭明發(fā),何小蝶,吳海華. 實(shí)驗(yàn)科學(xué)與技術(shù). 2015(01)
[3]現(xiàn)代透射電子顯微技術(shù)在多鐵材料研究中的應(yīng)用[J]. 楊槐馨,李俊,張穎,馬超,李建奇. 物理. 2014(02)
[4]磁控濺射氧化釩薄膜的研究進(jìn)展[J]. 夏國(guó)宏. 中國(guó)陶瓷. 2012(07)
博士論文
[1]釹錳共摻的鈦酸鉍鐵電薄膜的性能調(diào)控及其極化翻轉(zhuǎn)疲勞機(jī)理研究[D]. 張萬(wàn)里.湘潭大學(xué) 2017
[2]多重鐵性復(fù)合薄膜的制備及磁—力—電耦合性能研究[D]. 唐振華.湘潭大學(xué) 2015
碩士論文
[1]基于離子束刻蝕技術(shù)的反臺(tái)面型MQCM研究[D]. 謝小川.西南交通大學(xué) 2016
[2]BNTM-LSMO多鐵性復(fù)合薄膜的制備及磁電性能研究[D]. 陳強(qiáng)寧.湘潭大學(xué) 2016
[3]BNT與BFO及其復(fù)合薄膜的制備與鐵電性能研究[D]. 王國(guó)陽(yáng).湘潭大學(xué) 2011
[4]電子束蒸發(fā)法制備摻雜氧化鋯薄膜[D]. 李鑫.電子科技大學(xué) 2006
本文編號(hào):3053032
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