半導(dǎo)體材料和拓?fù)浣^緣態(tài)材料是如今科研領(lǐng)域的熱門材料,主要由于它們?cè)诟邏合碌男滦再|(zhì)和新結(jié)構(gòu),引發(fā)了人們的高度關(guān)注。SnSe是IV-VI族化合物中極具代表性的窄帶隙P型半導(dǎo)體材料之一,在常溫常壓下,SnSe結(jié)晶是空間群為Pnma的具有對(duì)稱性的層狀正交結(jié)構(gòu)。由于它的物理化學(xué)性質(zhì)比較獨(dú)特,通常應(yīng)用在記憶功能開(kāi)關(guān)設(shè)備、紅外探測(cè)器以及太陽(yáng)能電池陽(yáng)極材料等領(lǐng)域。近年來(lái),發(fā)現(xiàn)大多數(shù)人研究的SnSe都為體材料,研究了不同條件下SnSe的物理性質(zhì)及結(jié)構(gòu)等,雖然也有少量關(guān)于納米材料SnSe的報(bào)道,但也只限于對(duì)納米材料SnSe的合成、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性及光譜性質(zhì)的研究。然而,納米材料SnSe是否能像體材料SnSe一樣,在高壓條件下發(fā)生由半導(dǎo)體特性向半金屬特性的轉(zhuǎn)變還不得而知。因此本文以SnSe納米片為研究對(duì)象,利用高壓同步輻射X射線衍射、基于金剛石對(duì)頂砧（DAC）裝置的高壓原位直流電阻率和變溫電阻率的測(cè)量,對(duì)SnSe納米片的高壓結(jié)構(gòu)相變和電輸運(yùn)性質(zhì)變化進(jìn)行了探索。研究結(jié)果如下:一、利用同步輻射高壓X光衍射技術(shù),并結(jié)合GSAS精修,研究了高壓下SnSe納米片的結(jié)構(gòu)變化。隨著壓力增大到7.2GPa,SnSe納米片發(fā)生了由... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
中文摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 SnSe概況及研究背景
    1.2 SnSe高壓電輸運(yùn)性質(zhì)研究意義
    1.3 論文的選題目的和意義
    1.4 論文各部分的主要內(nèi)容
第二章 高壓實(shí)驗(yàn)裝置與技術(shù)
    2.1 高壓實(shí)驗(yàn)裝置
        2.1.1 金剛石對(duì)頂砧
        2.1.2 壓力標(biāo)定及傳壓介質(zhì)
        2.1.3 密封墊片的選擇及絕緣墊片的制作
    2.2 金剛石對(duì)頂砧上電極的集成
        2.2.1 電極的集成
        2.2.2 樣品填裝
    2.3 高壓電學(xué)測(cè)量方法
        2.3.1 范德堡法測(cè)量直流電阻率
        2.3.2 高壓原位變溫電阻率
    2.4 高壓X射線衍射
    2.5 本章小結(jié)
第三章 高壓下SnSe納米片的結(jié)構(gòu)相變研究
    3.1 SnSe納米片樣品信息
    3.2 SnSe納米片的高壓同步輻射實(shí)驗(yàn)及結(jié)構(gòu)分析
    3.3 本章小結(jié)
第四章 高壓下SnSe納米片的電輸運(yùn)性質(zhì)研究
    4.1 常溫條件下SnSe納米片高壓直流電學(xué)性質(zhì)研究
        4.1.1 電極導(dǎo)電性能測(cè)試
        4.1.2 SnSe納米片的直流電阻率測(cè)量
    4.2 變溫條件下SnSe納米片高壓直流電阻率研究
    4.3 SnSe納米片樣品卸壓后的TEM表征
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)和展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)介及科研成果
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]金剛石對(duì)頂砧上樣品厚度的測(cè)量方法[J]. 李明,李立新,楊伍明,趙曉霞.  河南理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2009(03)
[2]同步輻射——世紀(jì)新光源[J]. 吳自玉.  科學(xué)中國(guó)人. 2002(08)
[3]百萬(wàn)大氣壓下的壓強(qiáng)校準(zhǔn)及5.5 Mbar靜壓強(qiáng)的獲得[J]. 徐濟(jì)安,毛河光,P.M.Bell.  物理學(xué)報(bào). 1987(04)

博士論文
[1]高壓下AlAs、SnSe及GeTe的結(jié)構(gòu)和電輸運(yùn)性質(zhì)研究[D]. 閆杰娟.吉林大學(xué) 2016
[2]SnS、SnSe、SnSxSe1-x低維納米結(jié)構(gòu)的制備及高壓物性研究[D]. 張健.吉林大學(xué) 2016
[3]高壓下SnS，SnTe，In2Se3及Alq3的結(jié)構(gòu)和電輸運(yùn)性質(zhì)研究[D]. 柯峰.吉林大學(xué) 2015
[4]高壓下化合物半導(dǎo)體的電輸運(yùn)性質(zhì)研究[D]. 張俊凱.吉林大學(xué) 2014

碩士論文
[1]高壓下LiFePO4的結(jié)構(gòu)和電輸運(yùn)性質(zhì)研究[D]. 王宇飛.吉林大學(xué) 2017
[2]高壓下In2O3的電輸運(yùn)性質(zhì)與結(jié)構(gòu)研究[D]. 侯潔白.吉林大學(xué) 2016
[3]幾種常用傳壓介質(zhì)的靜水壓性及其對(duì)狀態(tài)方程測(cè)量的影響[D]. 柳雷.中國(guó)工程物理研究院 2008



本文編號(hào)：3050881