在氧化釩系列中,二氧化釩（VO₂）由于其優(yōu)異的相變性能,而且可以摻雜適當(dāng)?shù)碾x子來(lái)改變VO₂相變溫度,通過(guò)制備薄膜和納米結(jié)構(gòu)形式的VO₂并在這些材料中摻雜離子,可以在不同溫度下誘導(dǎo)各種光學(xué)和電學(xué)轉(zhuǎn)換。而研究如何將離子摻入VO₂材料中,并對(duì)其相變溫度起到調(diào)控作用,是具有重要意義的。本論文根據(jù)VO₂薄膜研究發(fā)展方向和應(yīng)用方面的需求,以MoO₃和V₂O₅粉末為反應(yīng)源,通過(guò)摻雜Mo離子來(lái)調(diào)控VO₂的相變溫度,并詳細(xì)的研究了摻雜離子對(duì)VO₂形貌、結(jié)構(gòu)、相變性能的影響,以及在光電響應(yīng)性能上的研究。本文創(chuàng)新地使用蒸汽-固體法（VS）生長(zhǎng)Mo摻雜的VO₂薄膜,通過(guò)SEM、XRD進(jìn)行表征,納米薄膜沿著[110]方向擇優(yōu)生長(zhǎng),是一種高純度的單晶薄膜。通過(guò)設(shè)置對(duì)照組改變摻雜濃度,測(cè)試了在不同摻雜濃度下VO₂薄膜電阻隨溫度變化曲線。測(cè)試結(jié)果表明,當(dāng)Mo... 

【文章來(lái)源】：東華理工大學(xué)江西省

【文章頁(yè)數(shù)】：72 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 引言
    1.2 二氧化釩的研究現(xiàn)狀
        1.2.1 二氧化釩的晶體結(jié)構(gòu)
        1.2.2 相變機(jī)理
        1.2.3 二氧化釩的應(yīng)用
    1.3 摻雜二氧化釩的研究進(jìn)展
    1.4 摻雜二氧化釩薄膜制備方法
        1.4.1 真空蒸鍍法
        1.4.2 濺射法
        1.4.3 溶膠、凝膠法
        1.4.4 化學(xué)氣相沉積法
    1.5 論文的選題背景和研究?jī)?nèi)容
        1.5.1 選題背景
        1.5.2 本文主要研究?jī)?nèi)容
2 鉬摻雜二氧化釩納米薄膜的生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)和形貌的表征
    2.1 VS生長(zhǎng)法制備鉬摻雜二氧化釩納米薄膜
        2.1.1 實(shí)驗(yàn)裝置和實(shí)驗(yàn)原材料
        2.1.2 VS生長(zhǎng)法制備二氧化釩納米薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理
        2.1.3 VS法制備鉬摻雜的二氧化釩納米薄膜生長(zhǎng)過(guò)程
    2.2 鉬摻雜二氧化釩納米薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)分析
        2.2.1 摻雜二氧化釩納米薄膜表征方法
            2.2.1.1 摻雜二氧化釩納米薄膜形貌測(cè)試方法
            2.2.1.2 摻雜二氧化釩結(jié)構(gòu)測(cè)試方法
        2.2.2 摻雜二氧化釩納米薄膜的形貌表征
            2.2.2.1 摻雜對(duì)二氧化釩納米薄膜形貌的影響
            2.2.2.2 摻雜對(duì)二氧化釩納米薄膜結(jié)構(gòu)的影響
    2.3 本章小結(jié)
3 鉬摻雜二氧化釩薄膜相變及光電特性分析
    3.1 鉬摻雜二氧化釩薄膜的電極制備
        3.1.1 實(shí)驗(yàn)方案
        3.1.2 光刻工藝
        3.1.3 刻蝕工藝
        3.1.4 金屬電極制作工藝
            3.1.4.1 套刻金屬電極
            3.1.4.2 沉積金屬電極
            3.1.4.3 剝離工藝
        3.1.5 退火工藝
    3.2 鉬摻雜二氧化釩薄膜的特性分析
        3.2.1 摻雜對(duì)二氧化釩薄膜相變溫度的影響
        3.2.2 真空度對(duì)摻雜二氧化釩薄膜電阻的影響
        3.2.3 摻雜二氧化釩薄膜的光電響應(yīng)性能研究
    3.3 本章小結(jié)
4 摻雜二氧化釩MOSFET器件的性能研究
    4.1 研究背景
    4.2 基于二氧化釩MOSFET器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與制備
        4.2.1 MOSFET結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
        4.2.2 MOSFET器件的制備
    4.3 MOSFET器件的性能測(cè)試
        4.3.1 MOSFET器件的電學(xué)特性
        4.3.2 MOSFET器件的光學(xué)性能特性
    4.4 本章小結(jié)
5 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
致謝
參考文獻(xiàn)


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]摻鉬對(duì)二氧化釩薄膜熱致變色特性的影響[J]. 劉東青,程海峰,鄭文偉,張朝陽(yáng).  稀有金屬材料與工程. 2011(S2)

博士論文
[1]二氧化釩納米線的制備和導(dǎo)電特性與相變調(diào)控[D]. 王成遷.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2017
[2]VO2薄膜制備及其應(yīng)用性能基礎(chǔ)研究[D]. 楊紹利.重慶大學(xué) 2003

碩士論文
[1]二氧化釩（VO2）薄膜生長(zhǎng)及其器件應(yīng)用研究[D]. 卜毅.東華理工大學(xué) 2018
[2]單晶鈮酸鋰薄膜材料及FBAR器件研究[D]. 龔朝官.電子科技大學(xué) 2018
[3]老化及離子改性對(duì)ZrO2-SiO2氣凝膠高溫穩(wěn)定性的影響[D]. 喬迎晨.天津大學(xué) 2017
[4]TixV1-xO2薄膜的制備及其能帶結(jié)構(gòu)分析[D]. 黃康.東華大學(xué) 2017
[5]二氧化釩納米粉體的制備及其摻雜改性的研究[D]. 張芳.上海師范大學(xué) 2014
[6]離子摻雜VO2薄膜制備及熱致相變性能研究[D]. 宗薇.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012
[7]電子束物理氣相沉積法制備SiC薄膜及性能研究[D]. 潘訓(xùn)剛.合肥工業(yè)大學(xué) 2012
[8]基于MEMS技術(shù)的微加熱板的設(shè)計(jì)與制作[D]. 易仙.華中科技大學(xué) 2011
[9]PECVD氮化硅薄膜的制備工藝及仿真研究[D]. 鄧其明.電子科技大學(xué) 2010
[10]二氧化釩薄膜制備及其熱致變色特性研究[D]. 劉東青.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009



本文編號(hào)：3044531