鉬摻雜二氧化釩薄膜生長及器件制備
發(fā)布時間：2021-02-21 15:15
在氧化釩系列中,二氧化釩（VO2）由于其優(yōu)異的相變性能,而且可以摻雜適當?shù)碾x子來改變VO2相變溫度,通過制備薄膜和納米結構形式的VO2并在這些材料中摻雜離子,可以在不同溫度下誘導各種光學和電學轉換。而研究如何將離子摻入VO2材料中,并對其相變溫度起到調控作用,是具有重要意義的。本論文根據(jù)VO2薄膜研究發(fā)展方向和應用方面的需求,以MoO3和V2O5粉末為反應源,通過摻雜Mo離子來調控VO2的相變溫度,并詳細的研究了摻雜離子對VO2形貌、結構、相變性能的影響,以及在光電響應性能上的研究。本文創(chuàng)新地使用蒸汽-固體法（VS）生長Mo摻雜的VO2薄膜,通過SEM、XRD進行表征,納米薄膜沿著[110]方向擇優(yōu)生長,是一種高純度的單晶薄膜。通過設置對照組改變摻雜濃度,測試了在不同摻雜濃度下VO2薄膜電阻隨溫度變化曲線。測試結果表明,當Mo...
【文章來源】：東華理工大學江西省
【文章頁數(shù)】：72 頁
【學位級別】：碩士
【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 引言
1.2 二氧化釩的研究現(xiàn)狀
1.2.1 二氧化釩的晶體結構
1.2.2 相變機理
1.2.3 二氧化釩的應用
1.3 摻雜二氧化釩的研究進展
1.4 摻雜二氧化釩薄膜制備方法
1.4.1 真空蒸鍍法
1.4.2 濺射法
1.4.3 溶膠、凝膠法
1.4.4 化學氣相沉積法
1.5 論文的選題背景和研究內容
1.5.1 選題背景
1.5.2 本文主要研究內容
2 鉬摻雜二氧化釩納米薄膜的生長結構和形貌的表征
2.1 VS生長法制備鉬摻雜二氧化釩納米薄膜
2.1.1 實驗裝置和實驗原材料
2.1.2 VS生長法制備二氧化釩納米薄膜的生長機理
2.1.3 VS法制備鉬摻雜的二氧化釩納米薄膜生長過程
2.2 鉬摻雜二氧化釩納米薄膜的形貌和結構分析
2.2.1 摻雜二氧化釩納米薄膜表征方法
2.2.1.1 摻雜二氧化釩納米薄膜形貌測試方法
2.2.1.2 摻雜二氧化釩結構測試方法
2.2.2 摻雜二氧化釩納米薄膜的形貌表征
2.2.2.1 摻雜對二氧化釩納米薄膜形貌的影響
2.2.2.2 摻雜對二氧化釩納米薄膜結構的影響
2.3 本章小結
3 鉬摻雜二氧化釩薄膜相變及光電特性分析
3.1 鉬摻雜二氧化釩薄膜的電極制備
3.1.1 實驗方案
3.1.2 光刻工藝
3.1.3 刻蝕工藝
3.1.4 金屬電極制作工藝
3.1.4.1 套刻金屬電極
3.1.4.2 沉積金屬電極
3.1.4.3 剝離工藝
3.1.5 退火工藝
3.2 鉬摻雜二氧化釩薄膜的特性分析
3.2.1 摻雜對二氧化釩薄膜相變溫度的影響
3.2.2 真空度對摻雜二氧化釩薄膜電阻的影響
3.2.3 摻雜二氧化釩薄膜的光電響應性能研究
3.3 本章小結
4 摻雜二氧化釩MOSFET器件的性能研究
4.1 研究背景
4.2 基于二氧化釩MOSFET器件結構的設計與制備
4.2.1 MOSFET結構的設計
4.2.2 MOSFET器件的制備
4.3 MOSFET器件的性能測試
4.3.1 MOSFET器件的電學特性
4.3.2 MOSFET器件的光學性能特性
4.4 本章小結
5 總結與展望
5.1 總結
5.2 展望
致謝
參考文獻
【參考文獻】：
期刊論文
[1]摻鉬對二氧化釩薄膜熱致變色特性的影響[J]. 劉東青,程海峰,鄭文偉,張朝陽. 稀有金屬材料與工程. 2011(S2)
博士論文
[1]二氧化釩納米線的制備和導電特性與相變調控[D]. 王成遷.哈爾濱工業(yè)大學 2017
[2]VO2薄膜制備及其應用性能基礎研究[D]. 楊紹利.重慶大學 2003
碩士論文
[1]二氧化釩（VO2）薄膜生長及其器件應用研究[D]. 卜毅.東華理工大學 2018
[2]單晶鈮酸鋰薄膜材料及FBAR器件研究[D]. 龔朝官.電子科技大學 2018
[3]老化及離子改性對ZrO2-SiO2氣凝膠高溫穩(wěn)定性的影響[D]. 喬迎晨.天津大學 2017
[4]TixV1-xO2薄膜的制備及其能帶結構分析[D]. 黃康.東華大學 2017
[5]二氧化釩納米粉體的制備及其摻雜改性的研究[D]. 張芳.上海師范大學 2014
[6]離子摻雜VO2薄膜制備及熱致相變性能研究[D]. 宗薇.哈爾濱工業(yè)大學 2012
[7]電子束物理氣相沉積法制備SiC薄膜及性能研究[D]. 潘訓剛.合肥工業(yè)大學 2012
[8]基于MEMS技術的微加熱板的設計與制作[D]. 易仙.華中科技大學 2011
[9]PECVD氮化硅薄膜的制備工藝及仿真研究[D]. 鄧其明.電子科技大學 2010
[10]二氧化釩薄膜制備及其熱致變色特性研究[D]. 劉東青.國防科學技術大學 2009
本文編號：3044531
【文章來源】：東華理工大學江西省
【文章頁數(shù)】：72 頁
【學位級別】：碩士
【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 引言
1.2 二氧化釩的研究現(xiàn)狀
1.2.1 二氧化釩的晶體結構
1.2.2 相變機理
1.2.3 二氧化釩的應用
1.3 摻雜二氧化釩的研究進展
1.4 摻雜二氧化釩薄膜制備方法
1.4.1 真空蒸鍍法
1.4.2 濺射法
1.4.3 溶膠、凝膠法
1.4.4 化學氣相沉積法
1.5 論文的選題背景和研究內容
1.5.1 選題背景
1.5.2 本文主要研究內容
2 鉬摻雜二氧化釩納米薄膜的生長結構和形貌的表征
2.1 VS生長法制備鉬摻雜二氧化釩納米薄膜
2.1.1 實驗裝置和實驗原材料
2.1.2 VS生長法制備二氧化釩納米薄膜的生長機理
2.1.3 VS法制備鉬摻雜的二氧化釩納米薄膜生長過程
2.2 鉬摻雜二氧化釩納米薄膜的形貌和結構分析
2.2.1 摻雜二氧化釩納米薄膜表征方法
2.2.1.1 摻雜二氧化釩納米薄膜形貌測試方法
2.2.1.2 摻雜二氧化釩結構測試方法
2.2.2 摻雜二氧化釩納米薄膜的形貌表征
2.2.2.1 摻雜對二氧化釩納米薄膜形貌的影響
2.2.2.2 摻雜對二氧化釩納米薄膜結構的影響
2.3 本章小結
3 鉬摻雜二氧化釩薄膜相變及光電特性分析
3.1 鉬摻雜二氧化釩薄膜的電極制備
3.1.1 實驗方案
3.1.2 光刻工藝
3.1.3 刻蝕工藝
3.1.4 金屬電極制作工藝
3.1.4.1 套刻金屬電極
3.1.4.2 沉積金屬電極
3.1.4.3 剝離工藝
3.1.5 退火工藝
3.2 鉬摻雜二氧化釩薄膜的特性分析
3.2.1 摻雜對二氧化釩薄膜相變溫度的影響
3.2.2 真空度對摻雜二氧化釩薄膜電阻的影響
3.2.3 摻雜二氧化釩薄膜的光電響應性能研究
3.3 本章小結
4 摻雜二氧化釩MOSFET器件的性能研究
4.1 研究背景
4.2 基于二氧化釩MOSFET器件結構的設計與制備
4.2.1 MOSFET結構的設計
4.2.2 MOSFET器件的制備
4.3 MOSFET器件的性能測試
4.3.1 MOSFET器件的電學特性
4.3.2 MOSFET器件的光學性能特性
4.4 本章小結
5 總結與展望
5.1 總結
5.2 展望
致謝
參考文獻
【參考文獻】：
期刊論文
[1]摻鉬對二氧化釩薄膜熱致變色特性的影響[J]. 劉東青,程海峰,鄭文偉,張朝陽. 稀有金屬材料與工程. 2011(S2)
博士論文
[1]二氧化釩納米線的制備和導電特性與相變調控[D]. 王成遷.哈爾濱工業(yè)大學 2017
[2]VO2薄膜制備及其應用性能基礎研究[D]. 楊紹利.重慶大學 2003
碩士論文
[1]二氧化釩（VO2）薄膜生長及其器件應用研究[D]. 卜毅.東華理工大學 2018
[2]單晶鈮酸鋰薄膜材料及FBAR器件研究[D]. 龔朝官.電子科技大學 2018
[3]老化及離子改性對ZrO2-SiO2氣凝膠高溫穩(wěn)定性的影響[D]. 喬迎晨.天津大學 2017
[4]TixV1-xO2薄膜的制備及其能帶結構分析[D]. 黃康.東華大學 2017
[5]二氧化釩納米粉體的制備及其摻雜改性的研究[D]. 張芳.上海師范大學 2014
[6]離子摻雜VO2薄膜制備及熱致相變性能研究[D]. 宗薇.哈爾濱工業(yè)大學 2012
[7]電子束物理氣相沉積法制備SiC薄膜及性能研究[D]. 潘訓剛.合肥工業(yè)大學 2012
[8]基于MEMS技術的微加熱板的設計與制作[D]. 易仙.華中科技大學 2011
[9]PECVD氮化硅薄膜的制備工藝及仿真研究[D]. 鄧其明.電子科技大學 2010
[10]二氧化釩薄膜制備及其熱致變色特性研究[D]. 劉東青.國防科學技術大學 2009
本文編號：3044531
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