發(fā)布時(shí)間：2021-02-18 13:49

　　本文采用一種結(jié)構(gòu)為Ag/MoO₃/Ag的金屬/氧化物/金屬（M₁/O/M₂）疊層替代ITO作為OLED器件的陽(yáng)極,研究Ag/MoO₃/Ag疊層結(jié)構(gòu)變化對(duì)于OLED器件電極透過(guò)率、亮度、光譜等性能的影響。實(shí)驗(yàn)采用真空蒸鍍方法制備了一系列器件,器件結(jié)構(gòu)為Ag/MoO₃/Ag/MoO₃（10nm）/NPB（40nm）/Alq₃（60nm）/LiF（1nm）/Al（150nm）。對(duì)比器件的電壓-電流密度、電壓-亮度、光譜特性等數(shù)據(jù),表明Ag/MoO₃/Ag的結(jié)構(gòu)為20/20/10（nm）時(shí),器件性能較好。在驅(qū)動(dòng)電壓為11V時(shí),其亮度達(dá)到18 421cd/m²,電流效率為2.45cd/A;且因器件中存在微腔效應(yīng),其EL光譜藍(lán)移,半高寬變窄。但考慮到530nm處其電極透過(guò)率僅為17%,所以經(jīng)換算該器件實(shí)際發(fā)光亮度比ITO電極器件更高。該Ag/MoO₃/Ag疊層陽(yáng)極制作相對(duì)簡(jiǎn)單,經(jīng)優(yōu)... 

【文章來(lái)源】：液晶與顯示. 2016,31(01)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于石墨烯/PEDOT∶PSS疊層薄膜的柔性O(shè)LED器件[J]. 吳曉曉,李福山,吳薇,郭太良.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2014(04)
[2]鈣鋁合金作為陰極對(duì)OLED器件性能的影響[J]. 席儉飛,張方輝,馬穎,閻洪剛,劉丁菡,蔣謙.  液晶與顯示. 2010(03)
[3]有機(jī)電致發(fā)光的光學(xué)微腔效應(yīng)[J]. 陶海華,姚寧,杜晨霞,張兵臨.  光學(xué)與光電技術(shù). 2004(02)



本文編號(hào)：3039642