采用4μm 40 V BJT商用工藝設(shè)計(jì)了一種基于JFET差分輸入對的2.5 V電壓基準(zhǔn)源.內(nèi)部結(jié)構(gòu)包括JFET差分輸入對、恒流源、PTAT電流源、運(yùn)放、電阻分壓器、短路保護(hù).仿真結(jié)果表明本設(shè)計(jì)能夠滿足5 V～30 V寬電壓范圍、車規(guī)級溫度范圍應(yīng)用,并具有低噪聲、低溫漂、低溫度非線性等卓越性能. 

【文章來源】：微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2020,37(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

IPTAT電流沉電路

在5 V～30 V電源電壓范圍,典型工藝角下,得到-40～125℃范圍內(nèi),IPTAT電流沉的溫度系數(shù)仿真曲線如圖7所示:由上圖可以看出,IPTAT電流沉在-40～125 ℃溫度范圍內(nèi)呈現(xiàn)線性正溫度系數(shù),斜率約為3000 ppm/℃.

在5 V～30 V電源電壓范圍,典型工藝角下,得到-40～125℃范圍內(nèi),電壓基準(zhǔn)的溫度系數(shù)仿真曲線如圖8所示:由上圖可知,當(dāng)電源電壓在5 V～30 V范圍內(nèi)變化,溫度在-40～125℃范圍內(nèi)變化時(shí),電壓基準(zhǔn)在2.499 V～2.500 75 V范圍內(nèi)變化,此仿真結(jié)果因考慮了電阻的溫度系數(shù)、電壓系數(shù),與常溫推算時(shí)忽略近似得到的2.499 V有一定差異,但在設(shè)計(jì)容差范圍內(nèi),滿足2.5 V±1 mV精度設(shè)計(jì)指標(biāo)要求.

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]一種低溫度系數(shù)高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)[J]. 奚冬杰,杜士才.  電子與封裝. 2017(12)



本文編號：3039300