作為Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料的ZnO,具有寬的帶隙（3.37 eV）和大的激子束縛能（60 meV）,是制作紫外光電器件的理想材料,因而受到人門的廣泛關(guān)注。本文圍繞ZnO材料的p型摻雜和熒光增強(qiáng)兩個(gè)熱門領(lǐng)域開展工作,獲得了相關(guān)的研究成果。具體研究工作與成果如下：以Ag2S為摻雜源,使用電子束蒸發(fā)法在石英襯底上制備了Ag-S共摻p型ZnO薄膜,研究Ag2S摻雜濃度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)及電學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)果表明2wt%Ag2S摻雜濃度的薄膜具有更好的晶體質(zhì)量且展現(xiàn)出p型導(dǎo)電特征。其電學(xué)性質(zhì)為：電阻率為0.0347Ω·cm,遷移率為.53cm2/Vs,室溫下空穴濃度為1.89×1019cm-3。XPS測(cè)試表明Ag與S已經(jīng)摻入ZnO薄膜并形成Agzn-nSo復(fù)雜受體。而且，制作的ZnO:（Ag,S）-ZnO/ZnO：A1同質(zhì)PN結(jié)具有整流特性,進(jìn)一步確認(rèn)Ag-S共摻ZnO薄膜的p型導(dǎo)電特征。利用溶膠凝膠法制備出ZnO量子點(diǎn),通過調(diào)節(jié)反應(yīng)溫度可以實(shí)現(xiàn)ZnO量子點(diǎn)尺寸的調(diào)控。利用時(shí)域有限差分法計(jì)算了五邊形Ag納米線的局域表面等離子體共振效應(yīng)。結(jié)果表明,在橫向共振模式中,五邊形Ag納米線消光譜存在340 nm和37... 

【文章來源】：浙江工業(yè)大學(xué)浙江省

【文章頁(yè)數(shù)】：58 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 ZnO性質(zhì)
        1.1.1 ZnO基本性質(zhì)
        1.1.2 ZnO電學(xué)性質(zhì)
        1.1.3 ZnO光學(xué)性質(zhì)
    1.2 P型ZnO研究進(jìn)展
    1.3 半導(dǎo)體量子點(diǎn)介紹及ZnO量子點(diǎn)制備
    1.4 金屬表面等離激元的熒光增強(qiáng)
    1.5 本論文研究的主要內(nèi)容
第二章 ZnO材料制備與分析
    2.1 ZnO薄膜制備
        2.1.1 電子束蒸發(fā)法
    2.2 ZnO量子點(diǎn)制備
    2.3 ZnO材料表征
        2.3.1 X射線衍射
        2.3.2 霍爾效應(yīng)
        2.3.3 X射線光電子譜
        2.3.4 Ⅰ-Ⅴ曲線
        2.3.5 紫外-可見吸收光譜
        2.3.6 光致熒光譜
        2.3.7 透射電子顯微鏡
第三章 Ag-S共摻p型ZnO薄膜制備與研究
    3.1 前沿
    3.2 摻雜薄膜制備
        3.2.1 靶材制備
        3.2.2 電子束蒸發(fā)法制備摻雜ZnO薄膜
    3.3 Ag-S共摻ZnO薄膜測(cè)試與分析
        3.3.1 薄膜樣品表征及分析表征儀器
        3.3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
    3.4 小結(jié)
第四章 Ag/ZnO納米結(jié)構(gòu)熒光增強(qiáng)效應(yīng)的研究
    4.1 前沿
    4.2 Ag/ZnO納米結(jié)構(gòu)制備與仿真模型
        4.2.1 ZnO量子點(diǎn)制備及反應(yīng)溫度對(duì)其PL譜的影響
        4.2.2 Ag納米線制備及表征
        4.2.3 仿真模型
    4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
    4.4 小結(jié)
第五章 工作總結(jié)及展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文目錄


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Ag/ZnO納米結(jié)構(gòu)的熒光增強(qiáng)效應(yīng)[J]. 徐天寧,李佳,李翔,隋成華,吳惠楨.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2014(04)
[2]Al/ZnO:Al薄膜結(jié)構(gòu)的熒光增強(qiáng)效應(yīng)[J]. 徐天寧,盧忠,隋成華,吳惠楨.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2013(03)



本文編號(hào)：3038572