針對(duì)一種LDO,研究了重離子Cl、Ge輻照觸發(fā)的單粒子閂鎖（SEL）效應(yīng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,輸入1.8 V時(shí),SEL電流范圍為850～950 mA;輸入3.3 V時(shí),SEL電流范圍為6.2～6.4 mA。隨著限制電流值的增高,退出SEL的時(shí)間逐漸增大,最終無法退出。該LDO的SEL維持電流范圍為350～400 mA,可通過正常工作電流和允許的中斷時(shí)間來選擇合適的限制電流值。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

Cl離子輻照下1#樣品負(fù)載輸出電流曲線

圖1 Cl離子輻照下1#樣品負(fù)載輸出電流曲線對(duì)不同離子下的SEL電流進(jìn)行對(duì)比。1.8 V輸入電壓時(shí),Cl離子、Ge離子輻照下,SEL電流分別為862 mA、852 mA。3.3 V輸入電壓時(shí),Cl離子、Ge離子輻照下,SEL電流分別為6.2 mA、6.3 mA。這表明,器件的SEL電流變化很小,即Cl離子、Ge離子對(duì)SEL電流的影響不明顯。

由圖1至圖3可以看出,3.3 V輸入電壓時(shí),SEL電流增大了12.5倍,1.8 V輸入電壓時(shí),SEL電流的增大倍數(shù)超過1 000。這表明,在不同供電電壓下,SEL電流值的差異很大。LDO芯片的電路圖如圖4所示。VIN端(為3.3 V)與1個(gè)運(yùn)算放大器的輸入端相接致使該電路呈現(xiàn)高阻態(tài),有很強(qiáng)的電流限制作用。在發(fā)生SEL效應(yīng)時(shí),SEL電流的增加值較小。然而,在與VLDOIN端(為1.8 V)連接的區(qū)域電路中,在發(fā)生SEL效應(yīng)時(shí),SEL電流急劇增大。

【參考文獻(xiàn)】：
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