通過改進(jìn)的Lee-Low-Pines變分方法分析了纖鋅礦ZnO/MgxZn1-xO、InxGa1-xN/GaN材料量子阱中自由極化子的能級所受到的影響。給出極化子基態(tài)能量、激發(fā)態(tài)能量、躍遷能量以及電子-聲子相互作用對能級的貢獻(xiàn)隨阱的寬度d和組分x的變化規(guī)律。在研究纖鋅礦ZnO/MgxZn1-xO、InxGa1-xN/GaN材料量子阱中,考慮了定域聲子模和半空間聲子模頻率以及介電常數(shù)的各向異性。分析得出,在ZnO/Mg0.3Zn0.7O、In0.3Ga0.7N/GaN材料量子阱中,隨著阱寬度d的增長,定域聲子模對系統(tǒng)能級影響的幅度出現(xiàn)了先增長快速,后增長緩慢,最后趨近于各自體材料的三維值。而半空間聲子模對系統(tǒng)能級的影響恰好和定域聲子模相反,能級移動最后都趨近于零。在ZnO/Mg0.3Zn0.7O材料量子阱中兩種聲子模對系統(tǒng)能級的總移動（35meV至66meV）高于In0.3Ga0.7N/GaN材料量子阱中的總移動（16me至31meV）。隨著阱的寬度增加,電子-聲子作用對基態(tài)能量的影響以及極化子基態(tài)能量、激發(fā)態(tài)能量和躍遷能量出現(xiàn)下降。當(dāng)阱的寬度為7納米時,在這兩種材料的量子阱中隨著組分x... 

【文章來源】：內(nèi)蒙古師范大學(xué)內(nèi)蒙古自治區(qū)

【文章頁數(shù)】：40 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
中文摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 極化子研究的發(fā)展
    1.2 氮化物的研究與發(fā)展
    1.3 氧化物的研究進(jìn)展
xZn_1-xO量子阱的研究">    1.4 Mg_xZn_1-xO量子阱的研究
    1.5 本文的研究內(nèi)容
第二章 理論計算
    2.1 哈密頓量
    2.2 理論推導(dǎo)
第三章 計算與分析
    3.1 數(shù)值計算與討論
    3.2 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士期間的科研情況



本文編號：3035851