電介質(zhì)、聚合物薄膜的電子束誘導(dǎo)電導(dǎo)特性是其電子顯微檢測(cè)以及絕緣性能研究的重要手段。基于Rutherford模型模擬電子的散射過(guò)程,利用電流連續(xù)性方程計(jì)算電荷的輸運(yùn)過(guò)程,采用數(shù)值計(jì)算結(jié)合實(shí)驗(yàn)研究了SiO₂、PMMA薄膜的電子束誘導(dǎo)電導(dǎo)特性。結(jié)果表明,由于電子的輸運(yùn),樣品內(nèi)部?jī)綦姾擅芏瘸尸F(xiàn)近表面為正、內(nèi)部為負(fù)的特性,空間電場(chǎng)推動(dòng)電子向襯底輸運(yùn),產(chǎn)生電子束誘導(dǎo)電導(dǎo)。電流增益隨偏壓的增大近似線(xiàn)性增大;由于電子遷移率較低,相同條件下PMMA薄膜的電流增益值遠(yuǎn)低于SiO₂薄膜的相應(yīng)值。誘導(dǎo)電導(dǎo)隨束流呈現(xiàn)近似線(xiàn)性特性,對(duì)于本文1μm厚度的薄膜樣品,電流增益隨束能變化在約20 keV處呈現(xiàn)極大值。 

【文章來(lái)源】：固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2020,40(02)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【部分圖文】：

電子束誘導(dǎo)電導(dǎo)產(chǎn)生示意圖

圖2是實(shí)驗(yàn)裝置簡(jiǎn)化示意圖，用于測(cè)量電子束誘導(dǎo)電流。整個(gè)裝置放置于高真空實(shí)驗(yàn)艙內(nèi)。電子槍為熱場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)咧睆綖?00 nm。樣品放置于具有良好導(dǎo)電性能的金屬平臺(tái)，下方連接安捷倫B2981A皮安計(jì)用于收集和測(cè)量電子束誘導(dǎo)電流。相關(guān)實(shí)驗(yàn)參數(shù)如表2所示。3 結(jié)果與分析

模擬凈電荷沿深度方向分布：(a)SiO2;(b)PMMA

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3034227