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電介質(zhì)與聚合物薄膜電子束誘導(dǎo)電導(dǎo)特性

發(fā)布時間:2021-02-15 02:00
  電介質(zhì)、聚合物薄膜的電子束誘導(dǎo)電導(dǎo)特性是其電子顯微檢測以及絕緣性能研究的重要手段;赗utherford模型模擬電子的散射過程,利用電流連續(xù)性方程計算電荷的輸運過程,采用數(shù)值計算結(jié)合實驗研究了SiO2、PMMA薄膜的電子束誘導(dǎo)電導(dǎo)特性。結(jié)果表明,由于電子的輸運,樣品內(nèi)部凈電荷密度呈現(xiàn)近表面為正、內(nèi)部為負的特性,空間電場推動電子向襯底輸運,產(chǎn)生電子束誘導(dǎo)電導(dǎo)。電流增益隨偏壓的增大近似線性增大;由于電子遷移率較低,相同條件下PMMA薄膜的電流增益值遠低于SiO2薄膜的相應(yīng)值。誘導(dǎo)電導(dǎo)隨束流呈現(xiàn)近似線性特性,對于本文1μm厚度的薄膜樣品,電流增益隨束能變化在約20 keV處呈現(xiàn)極大值。 

【文章來源】:固體電子學(xué)研究與進展. 2020,40(02)北大核心

【文章頁數(shù)】:8 頁

【部分圖文】:

電介質(zhì)與聚合物薄膜電子束誘導(dǎo)電導(dǎo)特性


電子束誘導(dǎo)電導(dǎo)產(chǎn)生示意圖

示意圖,示意圖,電子槍,電子束


圖2是實驗裝置簡化示意圖,用于測量電子束誘導(dǎo)電流。整個裝置放置于高真空實驗艙內(nèi)。電子槍為熱場發(fā)射電子槍,束斑直徑為100 nm。樣品放置于具有良好導(dǎo)電性能的金屬平臺,下方連接安捷倫B2981A皮安計用于收集和測量電子束誘導(dǎo)電流。相關(guān)實驗參數(shù)如表2所示。3 結(jié)果與分析

方向圖,凈電荷,方向,電子束


模擬凈電荷沿深度方向分布:(a)SiO2;(b)PMMA

【參考文獻】:
期刊論文
[1]數(shù)百eV低能電子束照射電介質(zhì)樣品帶電效應(yīng)[J]. 李維勤,李超.  固體電子學(xué)研究與進展. 2018(02)
[2]低入射能量下電介質(zhì)樣品出射電子特性[J]. 李維勤,霍志勝.  固體電子學(xué)研究與進展. 2017(05)
[3]電子輻照電介質(zhì)樣品帶電泄放弛豫特性研究[J]. 封國寶,曹猛,崔萬照,李軍,劉純亮,王芳.  物理學(xué)報. 2017(06)
[4]高能電子輻照絕緣厚樣品的表面電位動態(tài)特性[J]. 李維勤,郝杰,張海波.  物理學(xué)報. 2015(08)
[5]高能電子照射絕緣樣品的泄漏電流特性[J]. 李維勤,劉丁,張海波.  物理學(xué)報. 2014(22)



本文編號:3034227

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