伴隨著科技的高速發(fā)展,越來(lái)越復(fù)雜多變的電磁環(huán)境給電子系統(tǒng)帶來(lái)的影響變大。新概念電磁武器也被更多的應(yīng)用于現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)。另外伴隨著微電子行業(yè)的高速發(fā)展,從摩爾定律的提出到現(xiàn)在的納米級(jí)集成電路。微電子器件的特征尺寸越來(lái)越小,對(duì)電磁環(huán)境的敏感度變大,更易遭受電磁脈沖的損傷。所以MOS器件作為電子器件的基本元器件,很有必要通過(guò)理論研究在強(qiáng)電磁脈沖作用下MOS器件的損傷過(guò)程,進(jìn)而提高電子器件對(duì)強(qiáng)電磁脈沖的抗干擾能力。本文通過(guò)Sentaurus-TCAD軟件對(duì)納米NMOS器件進(jìn)行了研究,在仿真過(guò)程中考慮到了器件尺寸的問(wèn)題,加入了量子理論模型進(jìn)行仿真。首先通過(guò)對(duì)納米NMOS器件的輸出特性進(jìn)行了仿真,和特征尺寸是0.2μm的NMOS器件進(jìn)行了對(duì)比,發(fā)現(xiàn)在進(jìn)入飽和區(qū)以后,納米NMOS的漏極電流依然會(huì)隨著外加電壓的增大而明顯增大,然后對(duì)其擊穿特性進(jìn)行了驗(yàn)證。接下來(lái)通過(guò)在漏極注入階躍脈沖電壓的方式模仿器件在電磁脈沖作用下的損傷情況,仿真結(jié)果表明,在電磁脈沖注入下,納米NMOS器件的熱點(diǎn)分布在漏極和襯底連接處。納米NMOS器件的燒毀時(shí)間和漏極注入電壓的幅度成正比,納米NMOS器件在燒毀的過(guò)程中吸收的能量和燒毀時(shí)間正... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

MOSFET雜質(zhì)分布圖

圖 3.2 0.2 微米 MOSFET 輸出特性曲線對(duì)于文中 90 納米 MOSFET 的輸出特性仿真，從圖中我們可以的是，在柵壓保持不變的情況下，溝道電流 Ids 會(huì)隨著漏源電，即使到了飽和區(qū)也在增大，和常規(guī)尺寸不同。在這種情況下容忽視，比起長(zhǎng)溝器件，在飽和區(qū)，短溝器件更容易被漏極電

圖 3.2 0.2 微米 MOSFET 輸出特性曲線對(duì)于文中 90 納米 MOSFET 的輸出特性仿真，從圖中我們可的是，在柵壓保持不變的情況下，溝道電流 Ids 會(huì)隨著漏源，即使到了飽和區(qū)也在增大，和常規(guī)尺寸不同。在這種情況容忽視，比起長(zhǎng)溝器件，在飽和區(qū)，短溝器件更容易被漏極

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]半導(dǎo)體器件的電磁損傷效應(yīng)與機(jī)理研究[D]. 任興榮.西安電子科技大學(xué) 2014
[2]新型納米器件的電學(xué)特性和可靠性研究[D]. 劉志英.復(fù)旦大學(xué) 2011

碩士論文
[1]MOS器件界面態(tài)特性研究及其可靠性分析[D]. 張平.暨南大學(xué) 2015
[2]集成器件的高功率微波效應(yīng)研究與相應(yīng)防護(hù)[D]. 陳權(quán).西安電子科技大學(xué) 2013
[3]AlGaAs/GaAs HEMT電磁脈沖損傷機(jī)理研究[D]. 王唯佳.西安電子科技大學(xué) 2012
[4]MOSFET的強(qiáng)電磁脈沖損傷效應(yīng)研究[D]. 王婧.西安電子科技大學(xué) 2012
[5]高功率微波拍波及其與目標(biāo)相互作用特性的初步研究[D]. 武大鵬.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2011
[6]功率集成電路中高壓MOS器件及其可靠性的研究[D]. 韓成功.浙江大學(xué) 2010
[7]核電磁脈沖孔耦合及防護(hù)研究[D]. 舒志強(qiáng).西安電子科技大學(xué) 2009



本文編號(hào)：3029400