為進一步研究IGBT老化對其結(jié)溫的影響,提出了一種新型的結(jié)溫預(yù)測方法。通過功率循環(huán)加速老化實驗,模擬模塊實際運行老化狀態(tài),獲取了不同老化程度下的飽和壓降、集電極電流和結(jié)溫數(shù)據(jù),并進行分析。采用數(shù)據(jù)驅(qū)動的方法,建立了基于天牛須搜索算法優(yōu)化支持向量機（BAS-SVM）的結(jié)溫預(yù)測模型。結(jié)果表明,與粒子群算法-支持向量機（PSO-SVM）模型和天牛須搜索-BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（BAS-BP）模型相比,BAS-SVM模型更能有效縮短訓(xùn)練時間,收斂速度更快,且對IGBT結(jié)溫的預(yù)測精度更高,是一種更有效的預(yù)測模型。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

結(jié)溫-飽和壓降校正電路

為避免Ic在15 ℃～20 ℃因模塊高溫特性出現(xiàn)結(jié)溫測量盲區(qū),設(shè)定集電極電流值從25 A到150 A依次遞增5 A,恒溫箱溫度從35 ℃到125 ℃依次遞增10 ℃,記錄下各功率循環(huán)老化次數(shù)對應(yīng)的Vce、Ic和Tj的值。圖3 IGBT單脈沖測試實驗電路

IGBT單脈沖測試實驗電路

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
[1]功率模塊IGBT結(jié)溫測量方法的研究[D]. 韓曄.河北工業(yè)大學(xué) 2017



本文編號：3028814