發(fā)布時(shí)間：2021-02-11 01:35

　　憶阻器是除電阻、電容和電感之外的第四類(lèi)基本電路元件,能夠記憶過(guò)去的時(shí)間內(nèi)流過(guò)它的電荷,具有非易失性存儲(chǔ)的特點(diǎn),與傳統(tǒng)的電阻相比,能更準(zhǔn)確地模擬人類(lèi)大腦中突觸的功能。分?jǐn)?shù)階微積分可以看作經(jīng)典整數(shù)階微積分的階次在有理數(shù)范圍內(nèi)的推廣,與整數(shù)階微分不同,分?jǐn)?shù)階微分具有非局部特性和無(wú)限記憶功能,在描述許多材料和過(guò)程的記憶和遺傳特性方面有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)。用分?jǐn)?shù)階微分描述人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（Artificial Neural Network,ANN）的動(dòng)態(tài)特性,用憶阻器作為神經(jīng)元之間連接的突觸,便構(gòu)建出了分?jǐn)?shù)階憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（Fractional-order Memristor-based Neural Network,FMNN）模型。通過(guò)設(shè)計(jì)鎮(zhèn)定控制器使FMNN穩(wěn)定,可以用于求解優(yōu)化問(wèn)題;通過(guò)設(shè)計(jì)同步控制器實(shí)現(xiàn)兩個(gè)FMNN的同步,可以用于保密通信。本文主要研究?jī)?nèi)容包括:（1）用一個(gè)由光滑二次非線(xiàn)性函數(shù)描述的磁控憶阻器與一個(gè)負(fù)電導(dǎo)替換蔡氏電路中的蔡氏二極管,構(gòu)建了一個(gè)具有不對(duì)稱(chēng)階次的分?jǐn)?shù)階（和整數(shù)階）憶阻系統(tǒng),并利用分?jǐn)?shù)階（和整數(shù)階）系統(tǒng)穩(wěn)定性理論,結(jié)合Lyapunov指數(shù)、分岔圖、Poincare截面和相圖等... 

【文章來(lái)源】：山東科技大學(xué)山東省

【文章頁(yè)數(shù)】：108 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖３．２基于憶阻器的蔡氏電路??Ｆｉｇ．?３．２?Ｍｅｍｒｉｓｔｏｒ－ｂａｓｅｄ?Ｃｈｕａ’ｓ?ｃｉｒｃｕｉｔ??

山東科技大學(xué)碩士學(xué)位論文?基于蔡氏混沌電路的憶阻系統(tǒng)的動(dòng)力學(xué)分析??言，圖３．５（ｂ）和（ｃ）分別是一個(gè)四周期軌道和二周期軌道，圖３．５（ａ）所示是一個(gè)單??渦卷混沌吸引子，圖３．５（ｄ）所示是一個(gè)單周期軌道。這些仿真的時(shí)間區(qū)間均為??［２０〇Ｍ〇〇ｄ．同時(shí)，圖３．６畫(huà)出了初始條件ｗ。取上述一系列值時(shí)對(duì)應(yīng)的ＰｏｉｎｃａＭ??截面，Ｐｏｉｎｃａｒ６截面均選為ｙ?＝?０．??

山東科技大學(xué)碩士學(xué)位論文?基于蔡氏混沌電路的憶阻系統(tǒng)的動(dòng)力學(xué)分析??言，圖３．５（ｂ）和（ｃ）分別是一個(gè)四周期軌道和二周期軌道，圖３．５（ａ）所示是一個(gè)單??渦卷混沌吸引子，圖３．５（ｄ）所示是一個(gè)單周期軌道。這些仿真的時(shí)間區(qū)間均為??［２０〇Ｍ〇〇ｄ．同時(shí)，圖３．６畫(huà)出了初始條件ｗ。取上述一系列值時(shí)對(duì)應(yīng)的ＰｏｉｎｃａＭ??截面，Ｐｏｉｎｃａｒ６截面均選為ｙ?＝?０．??


本文編號(hào)：3028307