采用微機(jī)械剝離法得到橫向尺寸為10μm的碲化鍺（GeTe）納米片.通過(guò)電子束曝光和真空濺射鍍膜的方法,以鈦金合金為接觸電極,制備基于二維碲化鍺（2D-GeTe）納米材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）,并測(cè)定了其電學(xué)性能.結(jié)果表明,剝離所得GeTe納米材料具有良好的結(jié)晶性,光學(xué)帶隙為1.98 eV,屬于p型半導(dǎo)體;該場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)出了6.4 cm2·V-1·s-1的載流子遷移率和670的開(kāi)關(guān)電流比的良好電學(xué)性能. 

【文章來(lái)源】：高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報(bào). 2020,41(09)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 試劑與儀器
    1.2 樣品制備
    1.3 電學(xué)性能測(cè)試
2 結(jié)果與討論
    2.1 XRD分析
    2.2 微觀形貌分析
    2.3 拉曼散射和光學(xué)帶隙分析
    2.4 場(chǎng)效應(yīng)晶體管電學(xué)性能
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]化學(xué)氣相沉積法制備InSe納米片及其近紅外光探測(cè)性能[J]. 黃文娟,候華毅,陳相柏,翟天佑.  高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報(bào). 2020(04)
[2]制備條件對(duì)MXene形貌、結(jié)構(gòu)與電化學(xué)性能的影響[J]. 陳耀燕,趙昕,王哲,董杰,張清華.  高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報(bào). 2019(06)



本文編號(hào)：3025991