白光LED作為最新一代的照明光源,憑借其發(fā)光效率高、使用壽命長、化學(xué)穩(wěn)定性高、耗能低、環(huán)保無污染等特點廣泛的應(yīng)用于室內(nèi)外照明、平面顯示、軍事等領(lǐng)域。目前商業(yè)化白光LED的封裝方式主要為:將兩種或者多種熒光粉充分均勻的混合在硅膠或者環(huán)氧樹脂中,然后采用點膠法滴涂在LED芯片的表面,最后經(jīng)過烘烤固化即可。點膠法的工藝已經(jīng)很成熟,但是這種封裝方式還存在熒光粉易沉淀、LED光色不一致、LED難以散熱、長時間使用后硅膠易黃化開裂等問題,采用熒光薄膜封裝這一封裝方式,便可有效的改善傳統(tǒng)點膠法中存在的不足之處。本文采用傳統(tǒng)固相法制備了一系列熒光粉,并將制備的熒光粉與硅膠混合采用旋轉(zhuǎn)涂覆法制備成一系列熒光薄膜,主要探究了離子摻雜對熒光薄膜熱穩(wěn)定性和可靠性的影響、以及層狀結(jié)構(gòu)熒光薄膜兩種不同封裝方式對封裝的LED器件光電性能的影響,主要探究工作如下:1、采用固相法制備出Y_2.94(Al_1-xGa_x)₅O₁₂:0.06Ce（x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0.3）系列熒光粉,并將... 

【文章來源】：上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)上海市

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【圖文】：

點膠法與熒光薄膜封裝示意圖

D 的發(fā)光原理 屬于一種固體的電致發(fā)光器件，它可以通過電能轉(zhuǎn)化為光能來實現(xiàn)發(fā)D 可以實現(xiàn)發(fā)光其中最為最核心的構(gòu)成部分是芯片，P 型半導(dǎo)體和 N片，連接 P 型半導(dǎo)體與 N 型半導(dǎo)體之間的結(jié)區(qū)稱之為 P-N 結(jié)。LED 1-2 所示，當(dāng)未施加電壓時，此時器件處于平衡狀態(tài)，費米能級保持持穩(wěn)定，電子的擴散率和遷移率保持相同，此時在 P 區(qū)存在著比較多空穴，而在 N 區(qū)存在著比較多的遷移率比較高的電子，但此時由于壘限制，P 區(qū)的電子和 N 區(qū)的空穴不能夠發(fā)生復(fù)合。當(dāng)向 P-N 結(jié)開始，外部施加的電場高于內(nèi)部電場，P-N 結(jié)區(qū)的勢壘降低，此時原本 P破壞，導(dǎo)致 N 區(qū)的電子開始不斷的向 P 區(qū)空穴流入，載流子的擴散能 N 區(qū)的電子與 P 區(qū)的空穴發(fā)生復(fù)合行為時，電子開始從高能級向低能這一過程中，會產(chǎn)生特別多的能量，其中一部分多余的能量變成了光過程就將電能轉(zhuǎn)化形成了光能，以上就是 LED 可以實現(xiàn)發(fā)光現(xiàn)象的-17]。

上海應(yīng)用技術(shù)大代 YAG 釔鋁石榴石晶體中的 Y3+離子時，由于受到釔鋁石榴的 5d 簡并軌道能級被分裂從而形成了 5 個新的斯托克斯能對于4f能級存在著屏蔽效應(yīng)的影響，因此4f能級保持其原本支項不發(fā)生變化，這兩個本來就存在著的光譜支項是由于自光過程是 5d-4f 的特征躍遷發(fā)射形成的，4f 軌道的電子吸收由 5d 軌道躍遷至2F7/2和2F5/2軌道時以光子的形式釋放出一激發(fā)光譜在 230nm、350nm、450nm 左右處分別形成了一個在 YAG 的導(dǎo)帶內(nèi)，基本上被淬滅，350nm 的激發(fā)峰靠近導(dǎo)，450nm 的激發(fā)帶激發(fā)峰最強，因此 Ce3+的激發(fā)光譜具有典一個寬的包峰，530nm 左右處的峰為 5d-2F5/2躍遷，560nm 左。


本文編號：3025047