高Al組分鋁鎵氮（AlGaN）,AlN材料,具有超寬禁帶、耐高溫、抗輻射等特點,是制備紫外LED、LD、紫外探測器以及高功率器件的優(yōu)選材料。但目前高質(zhì)量高A1組分AlGaN、AlN材料制備困難,不同生長方法和生長條件下制備的材料性質(zhì)特性具有較大差異,器件應(yīng)用前需進(jìn)行質(zhì)量和性質(zhì)分析。針對AlN及高Al組分AlGaN薄膜的光學(xué)性質(zhì),本論文采用橢圓偏振光譜、拉曼散射光譜、透射光譜等表征手段,研究了系列AlN及不同高A1組分AlGaN薄膜的能帶、光學(xué)常數(shù)等光學(xué)性質(zhì),應(yīng)力,以及變溫性質(zhì),為高質(zhì)量薄膜材料的生長和高性能器件制備提供有價值的參考。本論文的主要研究工作有:（1）采用橢圓偏振光譜,研究了系列不同厚度AlN薄膜、不同Al組分AlGaN薄膜的光學(xué)常數(shù)和變溫性質(zhì)。通過Tanguy和Tauch-Lorentz等色散模型對橢圓偏振數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合分析,得到了寬波段范圍（193nm-1650nm）,AlN及AlGaN的光學(xué)常數(shù)。分析了不同厚度的AlN薄膜及不同Al組分的AlGaN薄膜的光學(xué)常數(shù)特點。AlN薄膜厚度越薄,不同溫度下的帶隙變化量越小。對于Al組分越小的AlGaN樣品,不同溫度下折射率變化越大... 

【文章來源】：廣西大學(xué)廣西壯族自治區(qū) 211工程院校

【文章頁數(shù)】：66 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１氮化鋁材料的晶體結(jié)構(gòu)??Ｆｉｇ．?１－１?Ｔｈｅ?ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ａｌｕｍｉｎｕｍ?ｎｉｔｒｉｄｅ??

?（〇?＜?ＤＯＰ?＜?１）?（１－５）??為參??圖１－３?（ａ）為完全偏振光?圖１－３?（ｂ）為部分偏振光??Ｆｉｇ．?１－３?（ａ）?Ｃｏｍｐｌｅｔｅ?ｐｏｌａｒｉｚｅｄ?ｌｉｇｈｔ?Ｆｉｇ．?１－３?（ｂ）?Ｐａｒｔｉａｌｌｙ?ｐｏｌａｒｉｚｅｄ?ｌｉｇｈｔ??７??

Ｅ?ＡＷ??圖１－２橢圓偏振光譜的測量原理??Ｆｉｇ．?１－２?Ｔｈｅ?ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ?ｏｆ?ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｙ??一個線性的光學(xué)系統(tǒng)（樣件）可以由一個４ｘ４階的實矩陣描述，該矩陣為穆勒矩陣??（Ｍｕｅｌｌｅｒｍａｔｒｉｘ）樣品總的作用矩陣等于每一層薄膜作用矩陣相乘，即穆勒矩陣（Ｍｕｅｌｌｅｒ??Ｍａｔｒｉｘ?）。??｜■爪ｉｉ?ｒｎ１２?ｍ１３?ｍ１４－，?ｒ／ｊ＇??Ｃ＝?Ｑｒ?＝?ｒｎ２１?ｍ２２?ｍ２３?ｍ２４?Ｑｔ??Ｕｒ?￣?ｍ３１?ｍ３２?ｍ３３?ｍ３４?ｙ．?（卜４）??Ｖｒ＼?Ｌｍ４１?ｍ４２?ｍ４３?ｍ４４Ｊ??定義偏振度（Ｄｅｇｒｅｅ?ｏｆ?Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ，ＤＯＰ）為：??ＤＯＰ?＝?（〇?＜?ＤＯＰ?＜?１）?（１－５）??為參??圖１－３?（ａ）為完全偏振光

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]氮化鋁薄膜的光學(xué)性質(zhì)(英文)[J]. 劉文,王質(zhì)武,楊清斗,劉毅,衛(wèi)靜婷,唐偉群.  硅酸鹽學(xué)報. 2007(05)
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碩士論文
[1]不同退火溫度的P型氮化鎵薄膜光學(xué)特性的研究[D]. 劉玉佳.廣西大學(xué) 2016



本文編號：3005654