提出一種皮瓦級(jí)、超低功耗的新型基準(zhǔn)電壓源。該電路利用工作在亞閾值區(qū)的不同類型MOS管的柵源電壓差,獲得在不同工藝角下均有良好溫度特性的基準(zhǔn)電壓。同時(shí),加入校準(zhǔn)電路來減小工藝偏差對(duì)基準(zhǔn)電壓的影響。采用0.18μm CMOS工藝,對(duì)電路進(jìn)行設(shè)計(jì)和仿真。仿真結(jié)果表明,該基準(zhǔn)電壓源的工作電壓范圍為0.6～2 V,線性靈敏度為0.13%/V;在TT工藝角、0.6 V電源電壓下,電路典型功耗為130 pW;在-40℃～110℃范圍內(nèi),校準(zhǔn)后,溫度系數(shù)范圍為2.04×10^-5/℃～9.38×10^-5/℃。該電路適用于射頻識(shí)別、無線傳感器、醫(yī)用植入式芯片等超低功耗片上系統(tǒng)中。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(03)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

本文提出的低功耗基準(zhǔn)電壓源

在不同工藝角下,對(duì)MN3管和MN4管的閾值電壓差VTH4-VTH3與溫度的關(guān)系進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果如圖2所示。由圖2可以看出,兩管的閾值電壓差VTH4-VTH3與溫度的關(guān)系和熱電壓VT與溫度的關(guān)系相反。結(jié)合式(7)、圖2以及熱電壓的計(jì)算公式可以看出,通過調(diào)節(jié)K3和K4的比值,可以得到一個(gè)與溫度無關(guān)的基準(zhǔn)電壓VREF。

電路開始正常工作后,從圖3的VREF1～VREF39中選擇合適電壓作為電路輸出的基準(zhǔn)電壓VREF,從而降低工藝偏差對(duì)基準(zhǔn)電壓的影響,提高電路抗工藝偏差的特性。2 仿真與分析


本文編號(hào)：2995881