為了更好地認(rèn)識(shí)脈沖電壓作用下晶閘管反向恢復(fù)期二次導(dǎo)通特性,搭建了對(duì)應(yīng)的實(shí)驗(yàn)研究平臺(tái),在利用小信號(hào)模型對(duì)二次導(dǎo)通過程進(jìn)行理論分析的基礎(chǔ)上,研究了脈沖電壓幅值及脈沖施加時(shí)刻對(duì)高壓大功率晶閘管反向恢復(fù)期二次導(dǎo)通特性的影響.結(jié)果表明,高壓大功率晶閘管在反向恢復(fù)期內(nèi),容易因脈沖電壓作用而發(fā)生二次導(dǎo)通,正向電壓臨界上升率極大降低;當(dāng)通態(tài)電流幅值相同時(shí),隨施加脈沖延時(shí)的增大,引起晶閘管二次導(dǎo)通的脈沖電壓幅值呈S型增長(zhǎng). 

【文章來源】：沈陽工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,42(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

脈沖電壓作用下反向恢復(fù)特性實(shí)驗(yàn)電路

為更好地理解反向恢復(fù)期內(nèi)晶閘管的動(dòng)態(tài)特性，本文首先對(duì)二次導(dǎo)通過程進(jìn)行分析．采用上述實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，使用5.6 k V/1 kA大功率晶閘管試品，設(shè)定通態(tài)電流幅值Ip=300 A，脈沖電壓作用下反向恢復(fù)階段波形如圖2所示，紅色為晶閘管陰陽極電壓波形，黑色為電流波形，電壓脈沖施加于t=120μs，此時(shí)晶閘管電壓與電流迅速升高，脈沖電壓導(dǎo)致晶閘管流過容性位移電流Idis．在正向脈沖電壓的作用下，晶閘管電流繼續(xù)升高，此后，電壓跌落接近于零，電流發(fā)生振蕩，說明脈沖電壓作用下晶閘管在反向恢復(fù)期內(nèi)再次開通．由于引起導(dǎo)通的電壓脈沖頻率較高，晶閘管內(nèi)部結(jié)電容無法忽略，因此，采用晶閘管高頻等效小信號(hào)模型對(duì)由位移電流Idis引起的二次導(dǎo)通過程進(jìn)行分析．晶閘管可等效為PNP與NPN兩個(gè)晶體管，結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示，其中，CT1、CT2和CT3均為等效電容．

容性位移電流Idis與外部施加的門極觸發(fā)電流IG具有同樣的效果，這種由電壓上升率引起的觸發(fā)導(dǎo)通是一種非理想的導(dǎo)通方式．當(dāng)晶閘管陽極承受正向電壓時(shí)，晶閘管陽極電流由收集的電子電流ICN、空穴電流ICP和位移電流Idis組成，表示為

【參考文獻(xiàn)】：
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