LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）作為功率集成電路的核心器件,近年來成為國內(nèi)外眾多器件研究者研究的熱點(diǎn)。然而,橫向高壓功率器件中擊穿電壓與比導(dǎo)通電阻之間嚴(yán)重的矛盾關(guān)系一直限制著LDMOS在高壓大電流下的應(yīng)用。因此,設(shè)計(jì)能滿足一定耐壓需求且低比導(dǎo)通電阻的LDMOS是目前功率半導(dǎo)體技術(shù)的一個重要發(fā)展方向。RESURF技術(shù)自1979年提出以來,從最初的Single-RESURF發(fā)展為Double-RESURF,再到Triple-RESURF,已成為橫向高壓器件設(shè)計(jì)的基本準(zhǔn)則。特別對于DR和TR LDMOS,其P型埋層的設(shè)計(jì)（以NMOS為例）是優(yōu)化器件特性的關(guān)鍵,然而已有文獻(xiàn)對DR和TR LDMOS的P型埋層對縱向電場調(diào)制作用的分析都顯得過于簡單,事實(shí)上,P型埋層的厚度、深度、摻雜濃度對器件的縱向電場、擊穿電壓和比導(dǎo)通電阻都產(chǎn)生了重要影響。本論文正是針對RESURF LDMOS的埋層設(shè)計(jì)這一問題展開研究。1、Double RESURF LDMOS的P-top層設(shè)計(jì)研究。研究了P-top層的厚度和摻雜濃度對器件縱向電場的影響。器件的擊穿電壓和比導(dǎo)通電阻隨P... 

【文章來源】：西華大學(xué)四川省

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
引言
1 研究背景
    1.1 功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展
    1.2 LDMOS器件的發(fā)展現(xiàn)狀
    1.3 RESURF技術(shù)的發(fā)展
    1.4 本論文主要工作
2 P-top層對Double-RESURF LDMOS器件擊穿電壓和比導(dǎo)通電阻的影響
    2.1 體硅Double-RESURF技術(shù)
    2.2 P-top層濃度對器件擊穿電壓和比導(dǎo)通電阻的影響
    2.3 P-top層厚度對器件擊穿電壓和比導(dǎo)通電阻的影響
        2.3.1 N型漂移區(qū)濃度不變
        2.3.2 P-top層濃度不變
    2.4 本章小結(jié)
3 P型埋層對Triple-RESURF LDMOS導(dǎo)通電阻和耐壓的影響
    3.1 體硅Triple-RESURF技術(shù)
    3.2 P型埋層深度對器件擊穿電壓和導(dǎo)通電阻影響
        3.2.1 P型埋層靠近表面且漂移區(qū)濃度較高
        3.2.2 P型埋層靠近表面且漂移區(qū)濃度較低
        3.2.3 P型埋層靠近村底且漂移區(qū)濃度較高
        3.2.4 P型埋層靠近村底且漂移區(qū)濃度較低
    3.3 P型埋層厚度對器件擊穿電壓和導(dǎo)通電阻影響
    3.4 P型埋層濃度對器件擊穿電壓和導(dǎo)通電阻影響
        3.4.1 N漂移區(qū)濃度改變
        3.4.2 N型漂移區(qū)濃度不變
    3.5 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表論文及科研成果
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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[3]SOI橫向高壓器件耐壓模型和新器件結(jié)構(gòu)研究[D]. 郭宇鋒.電子科技大學(xué) 2005



本文編號：2993676