在實踐中準確地測定和表征出MOS器件樣管的開啟電壓,對于大規(guī)模集成電路的設計以及將MOS器件作為分立器件的在電路應用,均是至關重要的。文章采用貝葉斯統(tǒng)計推斷工具用于器件輸入曲線的處理,從中提取出與器件開啟有關的更為精準和深入的信息。建立合適的分層模型,應用基于馬爾科夫鏈蒙特卡羅（MCMC）算法的最大后驗估計（MAP）,求取目標量的后驗分布。這類算法為目前概率與統(tǒng)計領域的最高級算法。將該先進算法引入到IC領域來分析處理所獲取的大數(shù)據(jù)是后摩爾時代的一個發(fā)展方向。 

【文章來源】：微電子學. 2020,50(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

MOS器件的Ids-Vgs曲線

使用MAP函數(shù)對數(shù)據(jù)點進行線性擬合的曲線


本文編號：2989895