高精度R-2R型數(shù)模轉(zhuǎn)換器的研究與設(shè)計
發(fā)布時間:2021-01-20 12:26
隨著信息時代的到來,越來越多的電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備趨向于數(shù)字化,模擬設(shè)備被抗干擾能力更強、可靠性更高的數(shù)字設(shè)備所代替。數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)是一種將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號的設(shè)備,是眾多電子設(shè)備中不可或缺的組成部分。在當(dāng)今數(shù)字化高速發(fā)展的情況下,數(shù)模轉(zhuǎn)換器的研究方向趨于高精度、高速度和低成本,數(shù)模轉(zhuǎn)換器的研究與設(shè)計是當(dāng)下模擬集成電路設(shè)計中的熱門課題。本文設(shè)計了一款應(yīng)用于MEMS陀螺儀中的高精度R-2R型數(shù)模轉(zhuǎn)換器。MEMS即微機電系統(tǒng),是一種可以將微小的物理變化量轉(zhuǎn)化為可供檢測的電壓量的裝置。在MEMS陀螺儀中,數(shù)模轉(zhuǎn)換器用于提供一個微小頻率變化范圍內(nèi)的正弦波信號,使硅片一直保持在諧振狀態(tài)。當(dāng)陀螺儀震動或受到干擾時,陀螺儀振動軸上的變化會耦合到檢測軸,將角速率的變化轉(zhuǎn)化為位移的變化,檢測可變電容兩端的電壓就可以得到陀螺儀的角速率,這就是MEMS陀螺儀的工作原理。在此應(yīng)用背景下,數(shù)模轉(zhuǎn)換器提供的正弦波信號頻率變化范圍很小,接近于固定頻率,因此,更強調(diào)數(shù)模轉(zhuǎn)換器的窄帶應(yīng)用。文中首先介紹了數(shù)模轉(zhuǎn)換器的工作原理,總結(jié)了數(shù)模轉(zhuǎn)換器的分類,將數(shù)模轉(zhuǎn)換器按照每位的權(quán)重分為一元DAC、二進制DAC以及多種結(jié)...
【文章來源】: 王士鑫 山東師范大學(xué)
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
AD5790的R-2R梯形結(jié)構(gòu)
山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文13NtortionDoiseSignalPPaxPSFDRis10,mlog10(2-2)式2-2中,PSignal是信號的功率,PNosie是噪聲功率,PDistortion是諧波的功率,SFDR是信號功率與最大無用信號功率之比,因此可以從信號的頻譜中直觀地看出SFDR的大校圖2-11是數(shù)模轉(zhuǎn)換器在典型頻率范圍內(nèi)輸出單頻信號的頻譜圖,從圖中可以看出,噪聲和各次諧波中功率最大的為二次諧波,因此SFDR的大小為基波功率與二次諧波的比值,大約為90dB,表示在這個范圍內(nèi),信號是無雜散的。圖2-11數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出單頻信號的頻譜圖(2)信噪失真比(SignaltoNoiseDistortionRatio,SNDR)信噪失真比是數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出有用信號的功率與噪聲功率和諧波功率之比,它的計算公式如下:NrtionDoiseSignalPPPSNDRisto10log10(2-3)其中,PSignal代表信號的功率,PNosie代表噪聲功率,PDistortion是輸出信號各次諧波的功率之和,從式2-3中可以看出,SNDR實際上是數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出信號中有用信號的功率與所有無用信號的功率之比,因此SNDR最能反映出數(shù)模轉(zhuǎn)換器的真實性能。在數(shù)模轉(zhuǎn)換器的性能評價中,還有一個常用的指標(biāo)參數(shù),即有效位數(shù)(EffectiveNumberofBits,ENOB),它的實際意義與SNDR相同,ENOB的表達(dá)式如下:02.676.1SNDRENOB(2-4)
圖3-36位溫度計DAC輸出階梯波形及6位二進制DAC輸出階梯波形
【參考文獻】:
期刊論文
[1]談集成電路版圖設(shè)計中的失配問題[J]. 畢克娜,曲偉. 黑龍江生態(tài)工程職業(yè)學(xué)院學(xué)報. 2019(02)
[2]數(shù)模轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)設(shè)計綜述[J]. 佟曉娜,陳祥發(fā),權(quán)海洋. 西安郵電大學(xué)學(xué)報. 2018(06)
[3]高精度、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO電路設(shè)計[J]. 劉智,姜洪雨,梁希,葛梅. 空間電子技術(shù). 2018(05)
[4]一種新穎的R-2R電阻網(wǎng)絡(luò)[J]. 李婭,萬輝. 微電子學(xué). 2014(06)
[5]集成電路中的天線效應(yīng)[J]. 劉義凱,劉麗娜. 微處理機. 2011(06)
[6]CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)抑制技術(shù)[J]. 董麗鳳,李艷麗,王吉源. 電子與封裝. 2010(09)
[7]用模擬開關(guān)實現(xiàn)信號復(fù)用[J]. Paul Rako. 電子設(shè)計技術(shù). 2008(09)
[8]一種低靜態(tài)電流、高穩(wěn)定性的LDO線性穩(wěn)壓器[J]. 陳東坡,何樂年,嚴(yán)曉浪. 電子與信息學(xué)報. 2006(08)
[9]模擬集成電路設(shè)計自動化技術(shù)[J]. 楊華中,劉潤生,汪蕙,范崇治. 電子科學(xué)學(xué)刊. 1996(02)
碩士論文
[1]DAC芯片抗輻照多電壓模式放大器設(shè)計[D]. 朱心越.西安電子科技大學(xué) 2018
[2]4通道12位高壓抗輻照數(shù)模轉(zhuǎn)換器芯片設(shè)計[D]. 蔣婷.西安電子科技大學(xué) 2017
[3]28nm工藝下雙核Cortex-A9處理器芯片的物理設(shè)計[D]. 高明.東南大學(xué) 2016
[4]適用于傳感器接口的高精度軌到軌R2R DAC的設(shè)計[D]. 胡貝貝.華中科技大學(xué) 2016
[5]FFT ASIC的物理設(shè)計與物理驗證[D]. 謝馬迥.華中科技大學(xué) 2015
[6]10-bit高精度低功耗SAR ADC設(shè)計研究[D]. 梁秋璐.北京交通大學(xué) 2014
[7]高速高精度DAC設(shè)計研究[D]. 付志博.北方工業(yè)大學(xué) 2013
[8]高階過采樣delta-sigma DAC設(shè)計[D]. 沈其松.電子科技大學(xué) 2011
本文編號:2989041
【文章來源】: 王士鑫 山東師范大學(xué)
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
AD5790的R-2R梯形結(jié)構(gòu)
山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文13NtortionDoiseSignalPPaxPSFDRis10,mlog10(2-2)式2-2中,PSignal是信號的功率,PNosie是噪聲功率,PDistortion是諧波的功率,SFDR是信號功率與最大無用信號功率之比,因此可以從信號的頻譜中直觀地看出SFDR的大校圖2-11是數(shù)模轉(zhuǎn)換器在典型頻率范圍內(nèi)輸出單頻信號的頻譜圖,從圖中可以看出,噪聲和各次諧波中功率最大的為二次諧波,因此SFDR的大小為基波功率與二次諧波的比值,大約為90dB,表示在這個范圍內(nèi),信號是無雜散的。圖2-11數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出單頻信號的頻譜圖(2)信噪失真比(SignaltoNoiseDistortionRatio,SNDR)信噪失真比是數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出有用信號的功率與噪聲功率和諧波功率之比,它的計算公式如下:NrtionDoiseSignalPPPSNDRisto10log10(2-3)其中,PSignal代表信號的功率,PNosie代表噪聲功率,PDistortion是輸出信號各次諧波的功率之和,從式2-3中可以看出,SNDR實際上是數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出信號中有用信號的功率與所有無用信號的功率之比,因此SNDR最能反映出數(shù)模轉(zhuǎn)換器的真實性能。在數(shù)模轉(zhuǎn)換器的性能評價中,還有一個常用的指標(biāo)參數(shù),即有效位數(shù)(EffectiveNumberofBits,ENOB),它的實際意義與SNDR相同,ENOB的表達(dá)式如下:02.676.1SNDRENOB(2-4)
圖3-36位溫度計DAC輸出階梯波形及6位二進制DAC輸出階梯波形
【參考文獻】:
期刊論文
[1]談集成電路版圖設(shè)計中的失配問題[J]. 畢克娜,曲偉. 黑龍江生態(tài)工程職業(yè)學(xué)院學(xué)報. 2019(02)
[2]數(shù)模轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)設(shè)計綜述[J]. 佟曉娜,陳祥發(fā),權(quán)海洋. 西安郵電大學(xué)學(xué)報. 2018(06)
[3]高精度、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO電路設(shè)計[J]. 劉智,姜洪雨,梁希,葛梅. 空間電子技術(shù). 2018(05)
[4]一種新穎的R-2R電阻網(wǎng)絡(luò)[J]. 李婭,萬輝. 微電子學(xué). 2014(06)
[5]集成電路中的天線效應(yīng)[J]. 劉義凱,劉麗娜. 微處理機. 2011(06)
[6]CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)抑制技術(shù)[J]. 董麗鳳,李艷麗,王吉源. 電子與封裝. 2010(09)
[7]用模擬開關(guān)實現(xiàn)信號復(fù)用[J]. Paul Rako. 電子設(shè)計技術(shù). 2008(09)
[8]一種低靜態(tài)電流、高穩(wěn)定性的LDO線性穩(wěn)壓器[J]. 陳東坡,何樂年,嚴(yán)曉浪. 電子與信息學(xué)報. 2006(08)
[9]模擬集成電路設(shè)計自動化技術(shù)[J]. 楊華中,劉潤生,汪蕙,范崇治. 電子科學(xué)學(xué)刊. 1996(02)
碩士論文
[1]DAC芯片抗輻照多電壓模式放大器設(shè)計[D]. 朱心越.西安電子科技大學(xué) 2018
[2]4通道12位高壓抗輻照數(shù)模轉(zhuǎn)換器芯片設(shè)計[D]. 蔣婷.西安電子科技大學(xué) 2017
[3]28nm工藝下雙核Cortex-A9處理器芯片的物理設(shè)計[D]. 高明.東南大學(xué) 2016
[4]適用于傳感器接口的高精度軌到軌R2R DAC的設(shè)計[D]. 胡貝貝.華中科技大學(xué) 2016
[5]FFT ASIC的物理設(shè)計與物理驗證[D]. 謝馬迥.華中科技大學(xué) 2015
[6]10-bit高精度低功耗SAR ADC設(shè)計研究[D]. 梁秋璐.北京交通大學(xué) 2014
[7]高速高精度DAC設(shè)計研究[D]. 付志博.北方工業(yè)大學(xué) 2013
[8]高階過采樣delta-sigma DAC設(shè)計[D]. 沈其松.電子科技大學(xué) 2011
本文編號:2989041
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