視覺是獲取信息的最重要手段。隨著移動通信技術(shù)的快速發(fā)展,對顯示技術(shù)的要求也越來越高。發(fā)光二極管微顯示（Light Emitting Diode Microdisplay）被認為是未來的顯示技術(shù),引起了行業(yè)的高度重視。Microdisplay是指面板對角線尺寸小于1英寸,像素密度大于1000 PPI（每英寸像素數(shù)）的顯示技術(shù),有別于我們?nèi)粘Ｋ姷氖謾C、手提電腦和電視機等。LED具有工作電壓低、亮度與效率高、響應(yīng)速率快、結(jié)構(gòu)緊湊等優(yōu)點,目前廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。當LED單元尺寸縮小至微米量級,即Micro Pixel LED,就可以用它制作出高性能的顯示器,優(yōu)于當前主流的液晶顯示技術(shù)。本論文即圍繞著Micro Pixel LED應(yīng)用于顯示領(lǐng)域開展了系統(tǒng)的研究工作。主要內(nèi)容:一、發(fā)光二極管微顯示的系統(tǒng)設(shè)計,如發(fā)光像素與對應(yīng)驅(qū)動電路的設(shè)計;器件制作流程設(shè)計,光學掩膜版的制備與改進。二、介紹了 LED微顯示器件制作的主要設(shè)備,開發(fā)了綠色對角線0.42英寸（長9.6 mm寬5.4 mm）分辨率480×270（1/16高清）的微顯示芯片,包括所用藍寶石襯底氮化鎵發(fā)光二極管外延片的評估、光刻、刻蝕、鍍膜... 

【文章來源】：南昌大學江西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：97 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 微型像素LED研究進展
        1.1.1 國外研究進展
        1.1.2 國內(nèi)研究進展
    1.2 發(fā)光的理論
        1.2.1 發(fā)光二極管基本結(jié)構(gòu)
        1.2.2 載流子復合機制
        1.2.3 電流擁擠效應(yīng)
    1.3 表征發(fā)光二極管微顯示器件的幾個重要參數(shù)
        1.3.1 發(fā)光亮度
        1.3.2 發(fā)光效率
        1.3.3 發(fā)光光譜
        1.3.4 色坐標
        1.3.5 色彩空間
        1.3.6 電壓-電流密度-亮度曲線
    1.4 論文的主要研究內(nèi)容
第2章 發(fā)光二極管微顯示器件設(shè)計
    2.1 驅(qū)動像素電路策略比較
    2.2 硅基CMOS驅(qū)動像素電路設(shè)計
    2.3 微型發(fā)光二極管的像素設(shè)計
    2.4 微型發(fā)光二極管像素的工藝流程
    2.5 光學掩模版的設(shè)計
    2.6 微顯示芯片設(shè)計的整體方案
    2.7 本章總結(jié)
第3章 發(fā)光二極管微顯示器件制作
    3.1 工藝與測試的設(shè)備
        3.1.1 光刻系統(tǒng)
        3.1.2 電感耦合等離子刻蝕機
        3.1.3 電子束蒸鍍及磁控濺射系統(tǒng)
        3.1.4 發(fā)光二極管電學測試平臺
        3.1.5 發(fā)光二極管光電綜合測試系統(tǒng)
    3.2 發(fā)光外延片的襯底與外延結(jié)構(gòu)
        3.2.1 發(fā)光外延片襯底的類型
        3.2.2 發(fā)光外延片結(jié)構(gòu)
    3.3 發(fā)光外延片的品質(zhì)對發(fā)光器件的影響
        3.3.1 顯微鏡缺陷檢測
        3.3.2 外延片的光致發(fā)光
        3.3.3 翹曲度的測量
        3.3.4 表面電阻率的測量
        3.3.5 外延片質(zhì)量對發(fā)光器件的影響
    3.4 發(fā)光二極管微顯示器件像素圖形制作
        3.4.1 微電子技術(shù)簡介
        3.4.2 綠色微型發(fā)光二極管的制程
    3.5 發(fā)光外延片襯底的減薄、研磨、拋光
    3.6 硅基CMOS驅(qū)動芯片的圖形化工藝及發(fā)光器件封裝技術(shù)
        3.6.1 硅基驅(qū)動芯片的圖形化工藝
        3.6.2 發(fā)光器件的倒裝焊（Flip Chip）鍵合
        3.6.3 發(fā)光二極管微顯示器的封裝技術(shù)
    3.7 本章總結(jié)
第4章 微型發(fā)光二極管陣列的全屏點亮中測研究
    4.1 全屏點亮目的
    4.2 中測階段的工藝設(shè)計及實施
        4.2.1 中測的工藝設(shè)計
        4.2.2 中測實施
    4.3 電學連接載臺的設(shè)計及制作
        4.3.1 印制電路板（PCB）的選擇
        4.3.2 電學連接載臺的設(shè)計
    4.4 測試實施
        4.4.1 視覺成像系統(tǒng)
        4.4.2 光學自動化檢測
    4.5 本章總結(jié)
第5章 器件光電特性的研究及分析
    5.1 光電特性
    5.2 器件的發(fā)光角度
    5.3 尺寸對微型LED電學特性的影響
    5.4 本章總結(jié)
第6章 結(jié)論
致謝
參考文獻


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2986735