基于⁶⁰Coγ射線輻照源,針對(duì)有/無Kovar合金金屬帽的橫向PNP晶體管（LPNP）,探究預(yù)加溫處理對(duì)雙極晶體管電離輻射損傷的影響.通過半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀對(duì)輻照前后LPNP晶體管電性能參數(shù)進(jìn)行測(cè)試.利用深能級(jí)瞬態(tài)譜分析儀（DLTS）,對(duì)輻照前后LPNP晶體管電離缺陷進(jìn)行表征.研究結(jié)果表明,未開帽處理的晶體管過�；鶚O電流（△I_B）增加更明顯,理想因子n隨發(fā)射結(jié)電壓(V_EB)的增加逐漸降低,轉(zhuǎn)換電壓(V_tr)明顯向低發(fā)射結(jié)電壓方向移動(dòng).分析認(rèn)為這是由于基區(qū)表面輻射誘導(dǎo)界面態(tài)復(fù)合率發(fā)生變化,界面態(tài)數(shù)量增多導(dǎo)致n值的變化.DLTS譜證實(shí)界面態(tài)是導(dǎo)致LPNP晶體管電性能退化的主要原因,未開帽處理的LPNP晶體管中輻照誘導(dǎo)的界面態(tài)數(shù)量明顯增多,這是由于采用Kovar合金制備的金屬帽中含有大量的氫,氫的存在會(huì)促進(jìn)界面態(tài)的形成.而對(duì)于開帽處理的LPNP晶體管,在預(yù)處理過程中除去金屬帽后器件內(nèi)氫氣逸出,腔內(nèi)氫氣含量降低,因此導(dǎo)致晶體管內(nèi)部產(chǎn)生的界面態(tài)數(shù)量減少,使LPNP晶體管電性能退化程度降低. 

【文章來源】：物理學(xué)報(bào). 2020,69(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：2986453