氮化鋁（AlN）是一種有良好發(fā)展前景的半導體材料,它常用作光電材料、緩沖層等,特別適用于Si襯底上生長GaN。AlN一般是通過金屬有機化合物化學氣相沉積（MOCVD）方法來制備,生長過程實質(zhì)上是一個化學反應過程,主要包括氣相反應和表面反應。表面反應是整個氣相沉積過程的核心,本文致力于AlN微觀反應和表面狀況研究�；诹孔踊瘜W密度泛函理論研究了AlN MOCVD反應及表面缺陷,應用Materials Studio中的CASTEP模塊,對氣相反應、表面吸附、以及摻雜、空位對表面的影響進行了計算分析。主要工作如下:（一）從氣相反應著手,首先論證了三甲基鋁（TMA）的穩(wěn)定構(gòu)型,然后重點研究最穩(wěn)定構(gòu)型二聚體d-TMA(C_2v)與NH₃的氣相反應,發(fā)現(xiàn)生成復合物Al（CH₃）₃:NH₃（可簡寫為TMA:NH₃）和單體m-TMA,給出了反應過程中主要變化。進一步研究了產(chǎn)物TMA:NH₃的態(tài)密度、Mulliken電荷和鍵布居、帶隙等電子結(jié)構(gòu)和吸收系數(shù)... 

【文章來源】：江蘇大學江蘇省

【文章頁數(shù)】：112 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

AlN晶體結(jié)構(gòu)

圖 1.2 Si 襯底 LED 芯片主體結(jié)構(gòu)1.2 Main structure of LED chip on Si su高阻特性使其成為優(yōu)質(zhì)的絕緣材料

圖 1.3 氣相沉積示意圖Fig. 1.3 Diagram of vapor deposition體生長過程和生長模式以及最終形成的薄膜結(jié)構(gòu)及其性質(zhì)，在很大沉積物之間的相互作用、沉積物與襯底之間的相互作用，而表面反

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
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本文編號：2985741