自從石墨烯在2004年被發(fā)明以來(lái),二維材料以其優(yōu)異的結(jié)構(gòu)和性能逐漸受到人們的關(guān)注。憶阻器作為一種新型的電子器件在2008年也第一次被惠普公司發(fā)明。憶阻器,由于其電阻狀態(tài)是隨施加電壓的變化而改變,可以用在神經(jīng)模擬、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、邏輯運(yùn)算等方向。因此,將這兩個(gè)前沿方向結(jié)合在一起研究,具有很重要的意義。本文主要探索新型二維材料MoTe₂在憶阻器方面上的應(yīng)用,主要研究?jī)?nèi)容如下:（1）通過(guò)前驅(qū)體MoO₃的厚度來(lái)制備大面積的MoTe₂薄膜和MoTe_2-xO_x/MoTe₂異質(zhì)結(jié),這種方法只需控制MoO₃的厚度,其余外部條件都相同。結(jié)果是薄的MoO₃產(chǎn)生1T’相MoTe₂,隨著MoO₃厚度的增加,薄膜中逐漸出現(xiàn)2H相,當(dāng)MoO₃厚度是25 nm時(shí),1T’相MoTe₂就全部變成了2H相MoTe₂。（2）研究?jī)煞N相MoTe

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中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模及增長(zhǎng)

2華 中 科 技 大 學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論 文圖1.2 中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的應(yīng)用結(jié)構(gòu)Fig.1.2 The applied structure about Chinese semiconductor market自從英國(guó)科學(xué)家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫在2004年利用膠帶剝離方法從石墨片中得到石墨烯以來(lái)，二維材料的研究受到越來(lái)越多人的關(guān)注，這兩人也因他們的杰出貢獻(xiàn)而獲得2010年諾貝爾物理獎(jiǎng)[2]。其中，二維過(guò)渡金屬硫族化合物（TMDs）因?yàn)槠洫?dú)特的結(jié)構(gòu)和性能，在多個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用前景，例如半導(dǎo)體光電器件、生物醫(yī)學(xué)和能源催化等領(lǐng)域。憶阻器，作為一種新型的非線性電子元器件，近年來(lái)也受到科研工作者的普遍關(guān)注。它的電阻值并不是恒定不變的，而是隨著電壓的變化而改變。憶阻器主要有以下三個(gè)用途：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、邏輯運(yùn)算和神經(jīng)模擬[3]。其中神經(jīng)模擬主要是利用憶阻器的電流特性來(lái)模仿生物的神經(jīng)突觸，可以用來(lái)模仿人類(lèi)的學(xué)習(xí)記憶、忘記等行為，這是在硬件上來(lái)進(jìn)行人工智能。相比于如今利用計(jì)算機(jī)代碼進(jìn)行人工智能，會(huì)在硬件上簡(jiǎn)化很多

但是石墨烯沒(méi)有能帶間隙，這限制了石墨烯在晶體管（FET）上的應(yīng)用。圖1.3 石墨烯結(jié)構(gòu)圖Fig.1.3 The structure of graphene1.2.2 MoS2二維過(guò)渡金屬硫族化合物（TMDs）是一種類(lèi)似于石墨烯的二維層狀材料，其化學(xué)成分可以寫(xiě)成MX2，其中M指的是過(guò)渡金屬元素（如Mo、W等），X指的是S族元素（如S、Se、Te等）。每一個(gè)TMD單層是由三層原子組成，其結(jié)構(gòu)類(lèi)似于一個(gè)三明治結(jié)構(gòu)。TMDs的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，使得TMDs可以形成不同的晶體結(jié)構(gòu)。以MoS2為例，如圖所示，MoS2具有4種不同的晶體結(jié)構(gòu)。根據(jù)Mo原子和S原子的配位方式和堆疊順序

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]2018中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)引領(lǐng)芯時(shí)代,把握芯機(jī)遇,共謀芯發(fā)展[J]. 孫遠(yuǎn)峰,張磊.  集成電路應(yīng)用. 2018(05)



本文編號(hào)：2984552