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高效率高可靠性AlGaInP基LED器件研究

發(fā)布時(shí)間:2021-01-16 10:23
  本文闡述了磷化鋁鎵銦(A1GaInP)基發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光原理及市場(chǎng)上主流的技術(shù)現(xiàn)狀,分析了目前產(chǎn)業(yè)化需求戶內(nèi)小間距顯示屏的新技術(shù)及成本需求,為填補(bǔ)傳統(tǒng)工藝間的亮度空白,研究了一種介于傳統(tǒng)正極性芯片及反極性芯片之間的工藝方案:低成本高效率高可靠性的電流阻擋(Current Blocking簡(jiǎn)稱CB)與粗化工藝組合的AlGaInP基LED。本論文是在傳統(tǒng)正極性工藝基礎(chǔ)上進(jìn)行CB及粗化工藝上的研究,主要工作內(nèi)容如下:1、對(duì)比了傳統(tǒng)正極性芯片結(jié)構(gòu)與CB電流阻擋結(jié)構(gòu)的電流注入模型,分析了 CB結(jié)構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。根據(jù)CB電流阻擋工藝的原理,設(shè)計(jì)生長(zhǎng)了三種不同GaP摻雜濃度和梯度的外延結(jié)構(gòu)。通過(guò)改變不同CB開(kāi)孔深度、不同Indium Tin Oxide(ITO)厚度、ITO透過(guò)率等芯片工藝條件,研究出最優(yōu)的CB外延結(jié)構(gòu):80 nm的GaP表層歐姆接觸層和500 nm厚的過(guò)渡層,摻雜濃度分別為2×1019/cm3和7×1018/cm3;及最佳的芯片工藝條件組合:CB開(kāi)孔深度70nm,ITO蒸鍍溫度300 ℃、氧流量10sccm、厚度280nm。該CB工藝條件下器件性能正常,且亮度比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)提升... 

【文章來(lái)源】:揚(yáng)州大學(xué)江蘇省

【文章頁(yè)數(shù)】:62 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

高效率高可靠性AlGaInP基LED器件研究


發(fā)光二極管發(fā)光過(guò)程示意圖

預(yù)測(cè)數(shù)據(jù),終端產(chǎn)品,顯示技術(shù),滲透率


圖1.2?LED顯示發(fā)展及應(yīng)用??根據(jù)《中國(guó)LED小間距屏市場(chǎng)分析報(bào)告》預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,到2020年,中國(guó)小間距LED??顯示屏市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到112億元(如圖1.3),在丨上丨)顯示屏市場(chǎng)滲透率或上升至22.?4%,??推動(dòng)LED顯示技術(shù)加速向室內(nèi)應(yīng)用延伸。同時(shí)小間距丨上D顯示除拼接屏領(lǐng)域應(yīng)用外’還將??滲透到更多終端產(chǎn)品市場(chǎng),朝大眾化、終端化、智能化等趨勢(shì)發(fā)展。??

正極性,芯片,入射光,亮度


、GaP透明電流擴(kuò)展層等最新的技術(shù)設(shè)計(jì),以降低GaAs襯底吸收、提高GaP電流擴(kuò)展??注入,達(dá)到外延設(shè)計(jì)的最優(yōu)光取出;芯片部分只鍍最簡(jiǎn)單的正背面電極形成所需LED芯片??器件。結(jié)構(gòu)如圖1.4。??正極性工藝優(yōu)缺點(diǎn):在MOCVD外延生長(zhǎng)階段完成,芯片制作只需鍍電極,工藝簡(jiǎn)單,??I?成本低廉;但是由于DBR結(jié)構(gòu)只對(duì)垂直入射和小角度入射的光提供高反射率,對(duì)角度較??I?大的入射光反射率很小,大角度的入射光大部分將透過(guò)DBR被GaAs襯底吸收[331,所以正??極性結(jié)構(gòu)外量子效率取出有限,亮度偏低。??!?正極性芯片應(yīng)用:作為目前主流的傳統(tǒng)工藝芯片,廣泛應(yīng)用于對(duì)亮度需求不高的單燈、??指示、戶內(nèi)顯示、半戶外顯示等領(lǐng)域。??

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Characteristic improvements of thin film AlGaInP red light emitting diodes on a metallic substrate[J]. 趙斌,胡巍,唐先勝,霍雯雪,韓麗麗,趙明龍,馬紫光,王文新,賈海強(qiáng),陳弘.  Chinese Physics B. 2018(04)
[2]復(fù)合分布式布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)AlGaInP發(fā)光二極管[J]. 鄭元宇,吳超瑜,林峰,伍明躍,周啟倫,李水清.  激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2017(05)
[3]Enhanced performances of AlGaInP-based light-emitting diodes with Schottky current blocking layers[J]. 馬莉,沈光地,高志遠(yuǎn),徐晨.  Chinese Physics B. 2015(09)
[4]ITO薄膜方塊電阻測(cè)試方法的探討[J]. 關(guān)自強(qiáng).  真空. 2014(03)
[5](Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P材料的MOCVD生長(zhǎng)溫度窗口研究[J]. 孫沛,李建軍,鄧軍,韓軍,馬凌云,劉濤.  物理學(xué)報(bào). 2013(02)
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[7]AlGaInP紅光LED的GaP窗口層自組裝法粗化[J]. 朱彥旭,鄧琛,徐晨,邢艷輝.  半導(dǎo)體技術(shù). 2012(09)
[8]GaAs基AlGaInP LED的研究和進(jìn)展[J]. 戰(zhàn)瑛,牛萍娟,李曉云,王小麗,彭曉磊.  半導(dǎo)體技術(shù). 2008(08)
[9]GaN的低壓MOCVD生長(zhǎng)模型[J]. 楊紅偉,閆發(fā)旺,章麒麟.  半導(dǎo)體情報(bào). 2001(06)

博士論文
[1]基于量子點(diǎn)的電致發(fā)光器件關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 馬航.北京交通大學(xué) 2017

碩士論文
[1]AlGaInP黃綠光LED內(nèi)量子效率提高的研究[D]. 韓效亞.長(zhǎng)春理工大學(xué) 2012
[2]表面粗化提高AlGaInP LEDs外量子效率[D]. 白繼鋒.長(zhǎng)春理工大學(xué) 2012



本文編號(hào):2980655

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