通過化學(xué)氣相沉積法,采用不同生長工藝在4°偏角4H-SiC襯底上制備p型4H-SiC同質(zhì)外延片。提出了p型4H-SiC同質(zhì)外延中有效層厚度的概念,研究發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致外延有效層厚度減少的直接原因是自摻雜效應(yīng)的存在。采用傅里葉紅外光譜儀（FT-IR）、汞探針電容電壓（Hg-CV）和表面缺陷測(cè)試儀對(duì)p型4H-SiC同質(zhì)外延片進(jìn)行表征,討論了不同工藝對(duì)外延有效層厚度的影響。結(jié)果表明,采用隔離法和阻擋層法均能提高外延有效層厚度,且摻雜濃度隨距表面深度變化斜率值由1.323減小到0.073。然而,阻擋層法斜率值能進(jìn)一步優(yōu)化至0.050,是由于有效抑制了外延中固相和氣相自摻雜。對(duì)比于優(yōu)化前工藝,采用阻擋層法制備的p型4H-SiC同質(zhì)外延片厚度不均勻性和表面總?cè)毕輸?shù)量處于同一水平,摻雜濃度不均勻性由2.95%改善到2.67%。綜上,采用阻擋層法能夠制備出高有效層厚度、高一致性和高質(zhì)量的p型4H-SiC同質(zhì)外延片。 

【文章來源】：微納電子技術(shù). 2020,57(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 自摻雜效應(yīng)
    2.2 不同工藝對(duì)外延有效層厚度的影響
    2.3 表面缺陷
    2.4 不同工藝對(duì)外延層不均勻性的影響
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]生長溫度對(duì)4HN-SiC同質(zhì)外延層表面缺陷的影響[J]. 趙麗霞,張國良.  微納電子技術(shù). 2019(05)
[2]超高壓4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生長[J]. 孫國勝,張新和,韓景瑞,劉丹.  電力電子技術(shù). 2017(08)
[3]用于高壓快恢復(fù)二極管的200mm硅外延材料的生長[J]. 張志勤,吳會(huì)旺,袁肇耿,趙麗霞.  半導(dǎo)體技術(shù). 2017(02)
[4]外延淀積過程中的自摻雜抑制[J]. 李智囊,侯宇.  微電子學(xué). 2003(02)



本文編號(hào)：2980170