通過化學(xué)氣相沉積法,采用不同生長工藝在4°偏角4H-SiC襯底上制備p型4H-SiC同質(zhì)外延片。提出了p型4H-SiC同質(zhì)外延中有效層厚度的概念,研究發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致外延有效層厚度減少的直接原因是自摻雜效應(yīng)的存在。采用傅里葉紅外光譜儀（FT-IR）、汞探針電容電壓（Hg-CV）和表面缺陷測試儀對p型4H-SiC同質(zhì)外延片進行表征,討論了不同工藝對外延有效層厚度的影響。結(jié)果表明,采用隔離法和阻擋層法均能提高外延有效層厚度,且摻雜濃度隨距表面深度變化斜率值由1.323減小到0.073。然而,阻擋層法斜率值能進一步優(yōu)化至0.050,是由于有效抑制了外延中固相和氣相自摻雜。對比于優(yōu)化前工藝,采用阻擋層法制備的p型4H-SiC同質(zhì)外延片厚度不均勻性和表面總?cè)毕輸?shù)量處于同一水平,摻雜濃度不均勻性由2.95%改善到2.67%。綜上,采用阻擋層法能夠制備出高有效層厚度、高一致性和高質(zhì)量的p型4H-SiC同質(zhì)外延片。 

【文章來源】：微納電子技術(shù). 2020,57(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 自摻雜效應(yīng)
    2.2 不同工藝對外延有效層厚度的影響
    2.3 表面缺陷
    2.4 不同工藝對外延層不均勻性的影響
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2980170